Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем




Скачать 186.94 Kb.
НазваниеРабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем
Дата конвертации13.11.2012
Размер186.94 Kb.
ТипРабочая программа


Федеральное агентство по образованию


ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

(ТУСУР)

УТВЕРЖДАЮ

Проректор университета

по учебной работе

_________М.Т. Решетников

“____”__________2007 г.


РАБОЧАЯ ПРОГРАММА


по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров”

для студентов специальности 210202 - “Проектирование

и технология электронно-вычислительных средств”.


Факультет вычислительных систем


Профилирующая кафедра “Комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем” (КИБЭВС).


Учебный план набора 2005г. и последующих лет


Курс третий, четвёртый

Семестр - 6, 7


Распределение учебного времени

Лекции - 50 час

Лабораторные занятия - 34 часов

Практические занятия - 25 часов

Курсовой проект - 9 часов (7 семестр)

Всего аудиторных занятий -118 часов

Самостоятельная работа - 82 часов

Общая трудоёмкость -200 часа

Экзамен - 7 семестр


Курсовой проект -7 семестр, диф. зачёт


2007 г.


Программа подготовлена на основе ГОС ВПО от 2000г. по специальности 210202 - “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”, утверждённого 10.03. 2000г., рассмотрена и утверждена на заседании кафедры КИБЭВС от “____” __________2007 г., протокол №_____.


Разработчик:

доцент кафедры КИБЭВС Л.А. Торгонский


Зав. кафедрой КИБЭВС, профессор А.А. Шелупанов


Рабочая программа согласована с факультетом и выпускающей кафедрой специальности.


Декан ФВС Л.А.Козлова





1 Цель, задачи и место дисциплины в учебном процессе





    1. Цель преподавания дисциплины

Дисциплина «Проектирование интегральных микросхем (ИМС) и микропроцессоров (МП)» в учебном плане специальности 210202 определена ГОС ВПО от 2000 года, как специальная (код СД.03), с целью освоения выпускником специальности знаний, развития умений и навыков в выполнении комплекса работ конструкторского проектирования новых микроэлектронных изделий в виде микросхем и микропроцессоров.




1.2 Задачи изучения дисциплины



Студент в результате усвоения теоретических положений курса должен знать:

- принципы и методы выбора форм и размеров элементов, радиокомпонентов современных и перспективных пленочных, гибридных и полупроводниковых микросхем.

- принципы разработки конструкций перспективных микросхем и оценки их показателей качества с учетом действия дестабилизирующих факторов.

- состав конструкций, параметры наиболее типичных модификаций современных микросхем и способы применения микросхем.

- требования, состав и методы подготовки конструкторской документации на микросхемы с использованием средств автоматизации конструкторского проектирования.

В результате развития и закрепления знаний студент должен уметь:

- формулировать технические задания на проектирование интегральных микросхем разного целевого назначения.

- анализировать требования технического задания и формулировать требования к конструктивному составу микросхем;

- выбирать материалы, выбирать формы элементов конструкций, выполнять необходимые проектные расчёты конструкций;

- принимать обоснованные решения по компоновке кристаллов, плат интегральных микросхем;

-оценивать степень влияния дестабилизирующих факторов на работу микросхем и предусматривать меры по стабилизации характеристик микросхем, повышения их надежности на этапах конструкторского проектирования;

- выполнять расчеты по оценке показателей качества, тепловых режимов, электромагнитной совместимости, экономических показателей;

- предусматривать и обеспечивать контроль качества микросхем и способы предупреждения причин брака;

- выполнять проектную и эксплуатационную техническую документацию на микросхемы.

Практические навыки приобретаются в процессе выполнения лабораторных работ и курсового проекта по дисциплине.


1.3 Место и преемственность изучения дисциплины.


Изучение курса “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” опирается на ряд предшествующих дисциплин учебного плана специальности 210202.

1 Физические основы микроэлектроники - (3,5 семестры)

2 Физико-химические основы технологии электронных средств - (5 сем.)

3 Материаловедение и материалы ЭВС (4 семестр)

4 Теоретические основы проектирования, производства и надежности ЭВС - (6 семестр)

5 Технология ЭВС-1 (6 семестр)

6 Схемотехника электронных средств (5 семестр)

7 Информационные технологии проектирования электронных средств (6,7 семестр.)

Дисциплина 1 формирует основу для восприятия конструкций элементов, использующих эффекты контактных переходов в твердых телах (структуры p-n переходов, металл-диэлектрик-металл, металл-диэлектрик.)

Дисциплины 2,3 формируют знания физических и химических свойств полупроводниковых, диэлектрических, проводящих материалов, применяемых в конструкциях ИМС и МП.

Дисциплины 4,5 формируют необходимый уровень знаний по технологии производства изделий микроэлектроники, обеспечению надежности и оценке показателей качества проектных решений.

Дисциплина 6 формирует комплекс знаний и умений по схемотехнической организации микросхем и учету влияния параметров элементов и компонентов на электрические показатели микросхем.

Дисциплина «Информационные технологии проектирования электронных средств» актуальна для ряда разделов конструкторского проектирования (расчеты, оценки, размещение и соединение объектов конструкций, оформление документации). Особо важно знания по названной дисциплине применять в курсовом проектировании ИМС в 7 семестре обучения, для сокращения затрат времени на выполнение проекта и развития практических навыков в работе с пакетами конструкторского проектирования изделий микроэлектроники.

Дисциплина «Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров» по учебному плану специальности осваивается в шестом и седьмом семестрах и в основном может базироваться на знаниях, полученных в перечисленных выше дисциплинах. Несогласованность проявляется в одновременности изучения дисциплины и выполнения курсового проекта в 7-ом семестре и незавершённости изучения дисциплины «Информационные технологии проектирования электронных средств» к выполнению курсового проекта.


2.Содержание курса Лекц. – 50 часов

(6 семестр)

2.1 Введение – 2 часа

Термины и определения предметной области. Классификация микросхем. Конструкции ИМС. Состав конструкции ИМС. Задачи и этапы проектирования ИМС.


2.2 Конструкции элементов полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) – 6 час.


Элементы кристаллов ИМС технологии биполярных транзистров (БПТ). Свойства изоляции элементов. Базовый элемент биполярных структур. Технологические варианты биполярных структур. Ограничения технологии. Сравнительная характеристика вариантов.

Планарность конструкций элементов ИМС. Следствия планарности. Параметры слоёв биполярных структур. «Первичные» и «вторичные» параметры. Оценка и расчет «вторичных» параметров слоев.

Проектные параметры БПТ цифровых ИС. Специфика БПТ аналоговых ИМС. Обеспечение электрической прочности структуры БПТ. Выбор размеров и параметров структуры по показателю «коэффициента передачи тока» в структуре БПТ.

2.3 Расчёт параметров конструктивных элементов и разработка топологии биполярных ИМС10 часов

Выбор размеров и формирование топологических конфигураций БПТ ИМС. Обеспечение рабочих токов. Учет проблем планарности конструкции в размерах и влиянии на передачу тока.

Оценки межэлектродных сопротивлений, емкостей, времени переключения тока в БПТ. Ключевые свойства БПТ, как функция формы и размеров. Схема замещения с элементами физико-топологической модели. Алгоритм проектирования топологии БПТ.

Диоды ИМС. Сравнительная характеристика структур планарных диодов ИМС. Проектные параметры диодов. Выбор размеров и формирование топологии диодов ИМС. Схема замещения планарного диода. Элементы физико-топологической модели. Влияние барьерных и диффузионных емкостей на время переключения. Алгоритм проектирования диодов. Диоды Шоттки. Конструкция планарного диода Шоттки. Специфика свойств.

Резисторы ИМС. Структуры резисторов БП ИМС. Проектные параметры. Расчетные соотношения. Топологические конфигурации. Выбор форм и размеров резисторов. Электрическая схема замещения. Граничная частота. Алгоритм проектирования

Варианты топологических форм БПТ. Дополняющий (торцевой) БПТ. Многоэмиттерный БПТ. Инжекционный транзистор. Конструкция транзистора. Схемная организация элементов И2Л. Выбор размеров и форм элементов логики И2Л. Транзистор Шоттки.


2.3 Конструирование ИМС на биполярных структурах 2 часа

Кристаллы БП ИМС. План кристалла. Потери активной площади. Способы сокращения потерь. Принципы функциональной интеграции. Соединения и контакты на кристаллах. Дополнительные знаки и фигуры. Показатели качества компоновки кристалла. Схемная организация БПТ ИМС. Схемная организация ТТЛШ. Проектирование топологии биполярных микросхем.


2.4 Разработка конструкции и расчёт параметров элементов ИМС на полевых структурах – 8 часа

Полевые эффекты в планарных структурах на п/п пластинах (p-n переходы, эффекты модуляции проводимости поверхностных слоев). Структура и топология полевого транзистора (ПТ) с индуцированным и встроенным каналами. Параметры ПТ для цифровых ИМС.

Расчетные соотношения для параметров ПТ. Выбор и обеспечение форм и размеров конструкций ПТ. Полевой транзистор как базовый элемент схем и конструкций цифровых ИС. Схема замещения транзистора с элементами физико-топологической модели ПТ.

Разработка топологии и конструирование ИМС на полевых структурах. Специфика проектирования топологии ИМС на полевых структурах. Схемная организация и конструирование ИМС с ПТ одного и разных типов канала. Выбор форм и размеров базовых логических вентилей ИС.

Конструирование ИМС на биполярно-полевых структурах

Композиции ПТ и БПТ. Приборы функциональной интеграции на полевых приборов (БИМОП элементы, цифровые элементы инжекционно-полевой логики (ИПЛ), преобразователи с зарядовой связью, элементы и устройства памяти). Кристаллы полевых ИМС.


2.5 Конструирование плат гибридных интегральных схем (ГИС) – 8 часов

(7 семестр)

Состав конструкций ГИС. Платы толсто- и тонкопленочных ГИС. Резисторы ГИС. Конструирование и расчёт плёночных резисторов ГИС. Расчетные критерии и соотношения. Параметры. Выбор форм и размеров без подгонки и с подгонкой сопротивления. Специфика конструкций толстопленочных элементов.

Конденсаторы ГИС. Параметры. Конструирование и расчёт плёночных конденсаторов ГИС. Выбор форм, расчет без подгонки и с подгонкой емкости. Конструирование и расчёт плёночных проводников и контактных площадок ГИС. Микросборки. Состав конструкций микросборок (МСБ). Коммутационные основания и платы МСБ. Конструирование микросборок (МСБ) цифровых устройств.

Индуктивности ГИС. Параметры. Конструирование и расчёт плёночных индуктивностей ГИС. Выбор форм и размеров. Расчетные соотношения. Компоненты гибридных интегральных схем (ГИС). Параметры компонент. Конструкции активных и пассивных компонент. Разработка, расчёты конструкции и топологии ГИС с учетом монтажа компонент. Разработка конструкции и топологии ГИС и МСБ. План платы ГИС.

Влияние частоты на выбор материалов плат и слоев, форм и размеров элементов. Гибридные ИМС СВЧ диапазона. Платы, соединения, контакты, формы элементов СВЧ ГИС. Размерные ограничения. Расчетные соотношения. Конструирование СВЧ ГИС. Компоненты СВЧ ГИС (конструкции биполярных транзисторов, диодов и резисторов СВЧ ГИС). План платы ГИС СВЧ.


2.6 Проектирование топологии больших интегральных схем (БИС)– 4 часа


Большие (БИС) и сверхбольшие ИС (СБИС). Технические решения и классификация БИС и способов реализации. Базовые матричные кристаллы (БМК). Конструкции БМК. Элементы и узлы в БМК. Состав этапов и последовательность проектирования конструкций БИС. Микросборки цифровых БИС.

Системы автоматизации проектирования БИС (САПР БИС) в проектировании БИС и СБИС. Специализированные библиотеки элементов, узлов. Кремниевая компиляция в проектировании БИС и СБИС. Пакеты и технические средства поддержки САПР БИС.


2.7 Конструирование ИМС и МСБ – 4 часа


Конструкции защиты и обеспечение надёжности ИМС и МСБ. Средства защиты кристаллов и плат. Корпусированные и бескорпусные исполнения ИМС. Корпусы ИМС. Классификация и конструкции корпусов. Конструкции бескорпусных ИМС. Материалы конструктивных элементов средств защиты плат и кристаллов.

Оценка показателей качества конструкций ИМС. Надёжность ИМС. Обеспечение надёжности. Тепловой режим ИМС. Электромагнитная совместимость в ИМС. Обеспечение влагозащиты. Механические воздействия и защита ИМС. Нормирование показателей качества ИМС.


2.8 Техническая документация на ИМС и МСБ – 4 часа


Нормативно-техническая и техническая документация. Состав комплекта технической документации на ИМС. Характеристика конструкторских документов проекта по содержанию и требованиям к оформлению.

Эксплуатационная документация на ИМС. Технические условия ИМС. Паспорт, патентный формуляр. Содержание и требования к изложению эксплуатационных документов. Система обозначений документов комплекта.


2.9 Перспективные конструкции изделий микроэлектроники – 2 часа

Функциональная электроника в ИМС Магнитные, оптоэлектронные и акустоэлектронные ИС. Нанотехнология и ИС.


2.10 Практические занятия и их содержание – 25 часов


Методический материал к проведению практических занятий размещён в пособии [7].

(6 семестр)

1 Оценка параметров технологического слоя -2 ч.

Идентифицировать состав технологических слоёв варианта структуры БПТ. Выполнить разметку заданных концентраций, пространственных размеров на графическом представлении структуры и слоя. Выбрать расчётные соотношения для определения удельной ёмкости изоляции слоя, электрической прочности изоляции слоя и поверхностного сопротивления слоя.

2 Оценка параметров БПТ – 2 ч.

Оценка параметров БПТ, определяемых структурой по заданному варианту. Размеры и удельные сопротивления слоёв заданы. Определению подлежат коэффициенту передачи тока, время переноса в базе, удельные барьерные ёмкости переходов и изоляции, удельные плотности токов, эффективная ширина базы по боковым составляющим поверхности эмиттера.

3 Топология БПТ – 2 ч.

Выбор форм и размеров, Проектирование топологии БПТ по рабочему току. Корректировка топологии.

4 Оценка параметров элементов схемы замещения БПТ -2 .

Схема замещения БПТ. Сопротивления и ёмкости схемы замещения Корректировка топологии. Оценка потерь усиления.

5 Резисторы п/п ИС – 2 ч.

Параметры назначения. Выбор формы, расчёт размеров топологии резистора п/п ИМС. Расчёт элементов схемы замещения. Корректировка размеров.

6 Полевой транзистор структуры МДП – 2 ч.

Структура МДП транзистора. Параметры назначения прибора. Согласование параметров структуры по пороговому напряжению. Электри-ческая прочность, удельные ёмкости структуры.

7 Полевой транзистор структуры МДП – 2 ч.

Топология и выбор размеров по рабочему току и крутизне транзистора МДП. Расчёт элементов схемы замещения транзистора.

8 Полевой транзистор структуры МДП – 2 ч

Инвертор на транзисторах с разным типом канала. Выбор параметров приборов инвертора. Топология фрагмента.

(7 семестр)

9 Резисторы пленочных и гибридных ИС– 4 ч.

Структуры. Параметры, топология, расчет размеров. Эскиз топологии тонкопленочного резистора. Компоновка массива резисторов. Оценка параметров схемы замещения.

10 Расчет размеров и формирование эскиза топологии резистора с подгонкой номинала. Коррекция размеров толстопленочного резистора.

11 Конденсаторы и катушки индуктивности гибридных ИМС.- 2 ч.

Параметры назначения. Топология, расчет размеров, добротности и частотного диапазона конденсатора.

Параметры назначения Эскиз топологии пленочной катушки. Расчет индуктивности и добротности катушек гибридных схем.

12 Оценка теплового режима элементов ИМС – 3ч.

Построение тепловой модели и расчет температурного режима конструкции ИМС. Расчетные модели и учет действия влаги, механических воздействий, электромагнитных взаимодействий на ИМС.


2.11 Лабораторные занятия – 34 часа

(6 семестр)

1 Анализ конструкции ГИС – 4 часа

2 Анализ конструкции п/п ИМС – 4 часа

3 Расчет и исследование размерных зависимостей в конструкциях

п/п резисторов – 4 часа.

4 Расчет и исследование размерных зависимостей в конструкциях БПТ – 4 часа

(7 семестр)

5 Проектирование платы фрагмента ГИС – 8 часов

6 Проектирование конструкции ИМС – 8 часов

7 Итоговое занятие по циклу -2 ч.

Лабораторные занятия по анализу конструкций выполняются в форме стендового анализа образцов серийных ИМС ( ГИС и п/п ИМС) с применением микроскопов и компьютерной программы поддерживающей контроль размеров и индексацию элементов на цифровых фотографиях плат и кристаллов ИМС.

Занятия 3-4 посвящены развитию навыков выбора форм и размеров элементов ИМС, исследованию характерных зависимостей между параметрами функционального назначения исследуемых элементов и параметрами их конструктивного исполнения.

Занятия 5,6 посвящены анализу исходных требований, подбору материалов, формированию базы к выполнению проектов топологического и сборочного чертежей конструкции ИМС с применением пакетов конструкторского проектирования.


2.12 Курсовое проектирование


Объектами курсового проектирования являются конструкции преимущественно конструкции ГИС, обучающие программы, базы данных поддержки процесса обучения по дисциплине, сервисные программные продукты по выполнению этапов работ по проектированию ИМС. На основе проектирования ГИС выполняется комплекс работ этапа эскизного проектирования ИМС частотного назначения. Документы проекта должны преимущественно исполняться с использованием САПР, являющихся объектами изучения дисциплины «Информационные технологии проектирования электронных средств».

Примерный перечень тем курсовых проектов по дисциплине:

Микросхема. Адаптер клавиатуры и сегментного дисплея (тонко-, толстопленочные ГИС).

Микросхема. Аналого-цифровой преобразователь (ГИС).

Микросхема. Коммутатор питания шагового двигателя (толстопленочные ГИС).

Прочие варианты заданий по проектированию ГИС в соответствии методическими указаниями по курсовому проектированию.

Обучающая программа конструирования топологии БПТ.

База данных топологических конфигураций БПТ, ПТ.

Программа контроля цифровых фотографий плат и кристаллов ИМС.

Обучающая программа конструирования пассивных элементов ГИС.

Обучающая программа объёмной компоновки ИМС и МП.


2.12 Самостоятельная работа


На самостоятельную работу учебным планом отведено 82 часов. Примерное рекомендуемое распределение этого объема по видам работ приведено в таблице 1.

Таблица 1



Наименование работ

Кол-во час.

Форма контроля

1

Работа над лекционным материалом (7 семестр)

20

Оценка, экзамен, 7 семестр, контрольный опрос

2

Подготовка к практическим занятиям (7 семестр)

14

Оценка работы на занятии

3

Подготовка к занятиям. Выполнение отчетов по лабораторным работам (7 семестр)

16

Прием отчетов по лабораторным работам

4

Работа над курсовым проектом (8 семестр)

20

Контроль этапный по графику выполнения проекта. Оценка проекта.

5

Подготовка к экзамену (7 семестр)

12






3.Учебно-методические материалы


Основные источники

1. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1989- 400 с., ил.,67 экз.

2. Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров/ Учебное пособие. В 2-х разделах. Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2007.- Раздел 1. – 254 с., ил.

3. Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров/ Учебное пособие. В 2-х разделах. Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2007.- Раздел 2. – 228 с., ил.


Дополнительные источники

4. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование ИМС: Учебное пособие для ВУЗов /Под ред. И.П.Степаненко.- М.: Сов.радио, 1983.- 232 с., ил. ,80 экз.

5. Пономарев М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА: Учебник для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1982.-288 с., ил. ,67 экз.

6.Матсон Э.А.Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструи-рованию ИМС.- Минск: Высшая школа, 1982-204 с., ил./ 100 экз.

7.Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебное методическое пособие.- Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2007.– 82 с., ил.

8. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров: Учебное пособие для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1986.-197 с., ил. /20 экз.

9.Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: Методические указания по курсовому проектированию курса «Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров».-Томск: ТУСУР, 2003.-

10 Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: Лабораторный практикум по курсу.- Томск: ТУСУР, 2007.– 82 с., ил.

11 Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие / Под ред. Г.Г. Казеннова.- М.: Высшая школа, 1990.

12 Электронные версии учебных материалов :

Базовые матричные кристаллы на основе ТТЛ

Базовые матричные кристаллы на основе И2Л

Базовые матричные кристаллы на основе структур МДП

Полупроводниковые слои и материалы.

Технология производства п/п микросхем

Сборка и электромонтаж микросхем.


Приложение А

Рейтинговый контроль

изучения дисциплины

«Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров»


А.1 Индивидуальные задания и вопросы контрольных работ

Лекционный курс разделён на три модуля по подразделам 2.2, 2.3, 2.4. По выделенным подразделам подготовлен банк двух индивидуальных заданий, содержащий по 64 вариантов. Задания выдаются после изучения 50% теоретического материала соответствующего семестра по одному заданию в семестр. Срок выполнения заданий - три учебных недели с дня выдачи. При сдаче индивидуальных работ на зачётной неделе рейтинговый балл снижается до 50% от балла работы сданной в срок.

Контрольные работы выполняются к началу контрольной недели семестра. или на предшествующей. Контрольные работы выполняются письменно в течение 45 мин. Перечень вопросов размещён в общем сборнике вариантов контрольных работ и индивидуальных заданий

Варианты индивидуальных заданий, требования к оформлению выполненного задания и контрольных работ приведены в сборнике контрольных работ и индивидуальных заданий по дисциплине. Сборник вариантов размещен в локальной сети кафедры и доступен к ознакомлению для студентов.

А.2 Рейтинговый контроль (сем.6, 7)

По дисциплине устанавливается рейтинговая система учёта и контроля учебной деятельности студента. В соответствии с распределением изучения дисциплина осваивается в 6 и 7 семестрах. По итогам изучения дисциплины в 7 семестре студент сдает экзамен. В шестом и седьмом семестрах изучаются теоретические положения дисциплины, выполняется программа практических занятий, цикл лабораторных работ, 2 индивидуальных контрольных задания. Названные разделы учебной деятельности по дисциплине оцениваются следующим образом:

- выполнение и отчетность по циклу лабораторных работ - до 48 баллов (24 балла в 6-ом семестре и 24 балла в 7-ом семестре);

критерии оценки:

- аккуратность формы отчётности - до 20% / раб.;

- содержание работы - до 80% /раб.;

- индивидуальные задания (15,15) - до 30 баллов;

критерии оценки:

- сдача в срок - 3 балл/задан;

- аккуратность формы отчётности - до 2 балл/задан;

- содержание работы - до 10 балл/задан.

- при сдаче работ на зачётной неделе балл не начисляется;

-контрольные работы (14,14,14) - по 14 баллов;

критерии оценки:

- аккуратность формы отчётности - до 2 балл/ раб.;

- содержание работы - до 12 балл/ раб.;

-пропуск практических занятий по неуважительной причине - 0,5 балла/час;

-пропуск лекционные занятия по неуважительной причине - минус 0,25 балла/час;

Согласно действующего в вузе положения о рейтинговой системе текущая посещаемость и рейтинговые баллы фиксируются в групповых журналах руководителей занятий. В контрольные точки семестра (2раза в семестр) текущий рейтинг по дисциплине фиксируется в ведомостях текущей успеваемости, передаваемых в деканат.

По завершении 6 –го семестра определяется семестровый рейтинг для последующего дополнения в 7-ом семестре. Если по итогам рейтинга шестого и седьмого семестров при выполненной программе работ по плану рейтинговый балл ниже 80 баллов, сдача экзамена является обязательной. Если семестровый рейтинг ниже 50 баллов, студент к экзамену не допускается, его семестровый рейтинг аннулируется. Иные обстоятельства в случае недостаточного рейтинга регламентируются положением о рейтинговой системе ТУСУРа.

При выполненной программе работ по плану и семестровом рейтинге от 80 до 99, студенту по его просьбе может быть проставлена экзаменационная оценка «хор» с сохранением суммарного рейтинга по дисциплине. Иначе студент может сдавать экзамен с последующим результатом, установленным положением о рейтинговой системе ТУСУРа.

При семестровом рейтинге от 100 до 120, студенту по его просьбе может быть проставлена экзаменационная оценка «отл» с сохранением рейтинга. Иначе студент может сдавать экзамен с последующим результатом установленным положением о рейтинге.


А.3 Рейтинговый контроль курсового проектирования (7 сем.)

Рейтинг (до 120 баллов) курсового проекта формируется из двух контрольных собеседований:

- через две недели после выдачи задания - до 5 баллов;

- на контрольной неделе, перед истечением срока

сдачи проекта на проверку - до 10 баллов.

- аккуратность и соответствие нормам оформления

чертежей и пояснительной записки, соответственно - по 15/10 баллов;

- техническая грамотность чертежей и пояснительной

записки - по 30 баллов;

- защита проекта, ответы на вопросы - до 20 баллов.


Добавить в свой блог или на сайт

Похожие:

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconПроектирование интегральных микросхем и микропроцессоров
Кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (кибэвс)

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconПрограмма дисциплины Информационные технологии проектирования электронных средств» для специальностей 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
Для специальностей 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» 210202 «Проектирование и технология электронно-вычислительных...

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconКоледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов
Специальность 210202 “Проектирование и технология электронно-вычис-лительных средств”

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconЛ. А. Торгонский проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров
«Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров». На этом этапе студент приобретает навыки самостоятельной работы по разработке...

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconРабочая программа по дисциплине "Автоматизированное проектирование печатных плат" для студентов специальности 210201 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" очной формы обучения по учебному плану,
Автоматизированное проектирование печатных плат" для студентов специальности 210201 "Проектирование и технология радиоэлектронных...

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconРабочая программа учебной дисциплины
Опд. В 1 “Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем” для специальности 210104

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconОбеспеченности студентов учебной и учебно-методической литературой по дисциплине Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных
«Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем»

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconРабочая программа по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
Целью курса является подготовка в области физических основ микроэлектроники студентов специальности «Конструирование и технология...

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconРабочая программа по дисциплине “Расчет и проектирование электронно-оптической аппаратуры” для специальности 36 04 01 “Электронно-оптические системы и технологии ”
Рабочая программа составлена на основе квалификационной характеристики инженера электронной техники по специальности 36 04 01

Рабочая программа по дисциплине “Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности 210202 “Проектирование и технология электронно-вычислительных средств”. Факультет вычислительных систем iconПроектирование интегральных микросхем и микропроцессоров
Определения и характерные черты изделий: микросхема, микросборка, элемент, компонент, кристалл, плата


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница