Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт




Скачать 43.13 Kb.
НазваниеМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт
Дата конвертации13.11.2012
Размер43.13 Kb.
ТипДокументы
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ


МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)


ПРОГРАММА


вступительных экзаменов

в магистратуру


210100 “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”


Профилирующая дисциплина


“Физика полупроводниковых приборов и интегральных схем


Классификация интегральных схем по элементной базе, полупроводниковому материалу, технологии и схемотопологическим решениям. Основные базовые элементы и компоненты полупроводниковых интегральных схем.

Общие положения математической формулировки задач моделирования физических процессов в элементах интегральных схем. Фундаментальные уравнения физических процессов в объеме полупроводниковой структуры. Кинетическое уравнение Больцмана, основные приближения и допущения в моделях элементов ИС. Представление о физикотопологическом и схемотехническом уровнях моделирования ИС.

Элементы биполярных ИС, структурные и топологические варианты реализации элементов. Физические процессы в транзисторных структурах. Электрические модели биполярного транзистора.

Интегральные соотношения для зарядов в биполярном транзисторе. Зарядоуправляемая модель. Параметры модели Гуммеля-Пуна для интегрального биполярного транзистора.

Описание эффектов высокого уровня инжекции, эффекта Эрли в зарядоуправляемой модели транзистора. Передаточная характеристика при низком и высоком уровнях инжекции в областях транзисторной структуры. Время пролета носителей через базу при произвольном профиле легирования базы и уровне инжекции. Эффект Вебстера в биполярном интегральном транзисторе.

Эффекты высокого уровня инжекции в коллекторе. Эффекты квазинасыщения, Кирка. Эффекты сильного легирования. Обобщенное выражение для токов и коэффициента передачи тока интегральных биполярных транзисторов. Многоэмиттерный интегральный транзистор, коэффициент передачи по току в инверсном режиме и способы его регулирования. Модели сопротивления базы интегрального транзистора. Интегральные транзисторы с диодом Шоттки, латеральные транзисторы (с боковой инжекцией) , транзисторы с инжекционным питанием.

Пассивные элементы биполярных интегральных схем - резисторы, конденсаторы и индуктивности. Физические процессы, конструкции и модели. Методы расчета и проектирования. Паразитные явления в пассивных элементах ИС. Транзисторы, диоды, стабилитроны. Модели биполярных элементов и представления о методах идентификации параметров. Методы проектирования элементов биполярных ИС.

Новые физические проблемы описания физических процессов и моделирования элементов биполярных ИС. Параметры и характеристики субмикронных транзисторов.

ИС на основе полевых транзисторов с управляющим p-n переходом. Модель полевого транзистора с произвольным профилем легирования канала.

Особенности ИС на основе GaAs. Барьер Шоттки. Инжекция неосновных носителей. Полевые транзисторы с гетеропереходами. Основные типы конструкций. Нелинейные резисторы в ИС на основе GaAs.

Особенности полевых транзисторов на основе широкозонных полупроводников (GaAs, SiC, AlGaN) по сравнению с транзисторами на основе кремния (Si). Модель двух областей, модель с полностью насыщенной скоростью.

Элементы ИС с МОП - структурой. Полевые транзисторы для МОП ИС. Модель МДП транзистора. Подпороговые характеристики МДП транзисторов. Эффекты сильного поля в канале МДП транзисторов. Короткоканальные эффекты в МДП транзисторах. Подпороговые токи, эффект модуляции барьера истока стоковым напряжением, изменение порогового напряжения. Умножение носителей и зарядка окисла в МДП транзисторах. Инжекционный пробой. Эффект “защелки“ (тиристорный эффект) в КМОП ИС, методы его подавления. Масштабная миниатюризация в МДП ИС и ее пределы. Эффекты горячих носителей в короткоканальных МДП приборах и методы подавления этих эффектов.

Физика элементов статической памяти на основе структур металл-диэлектрик1-(диэлектрик2)-полупроводник. Элементы памяти с лавинной инжекцией заряда. Элементы памяти с двухслойным диэлектриком.


Литература


  1. Тугов Н.М.,Глебов Б.А.,Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. - М.: Энергоатомиздат, 1990.

  1. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем. / Под ред. А.Г. Шашкова. - Мн.: Высшая школа. 1990.

  2. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. - Л.: Энергоатомиздат, 1986.

  3. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989.

  4. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Радио и связь, 1990.

  5. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи. - М.: Изд-во "Додека", 2001.

  6. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А., Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. - М.: Энергоатомиздат, 1988.

  7. Евсеев Ю.А., Дерменжи П.Г. Силовые полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1981.

  8. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.

  9. Каталог по использованию транзисторов со статической индукцией в корпусном и бескорпусном исполнении / Макаров В.А., Агафонов С.М., Максименко Ю.Н., Тугов Н.М. - М.: Контакт, 1990.

  10. Крутякова М.Г.,Чарыков Н.А.,Юдин В.В. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования. - М.: Радио и связь, 1983.

  11. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989.

  12. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Москлас, 1989.

  13. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. - М.: Лаборатория Базовых знаний. 2001. -448 с.

  14. Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров / Пер. с англ. - М.: Энергоатомиздат, 1990.

  15. Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. - Л.: Наука, 1988.

  16. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших интегральных схем. - М.: Мир, 1991.

  17. Филатов Н.И., Чарыков Н.А. Моделирование на ЭВМ полупроводниковых диодов. Учебное пособие по курсу "Физика полупроводниковых приборов". - М.: МЭИ, 1985.

  18. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1992.

  19. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice). - М.: СК Пресс, 1996.

  20. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. - М.: "Солон", 1997.



Директор ИРЭ МЭИ (ТУ) В.Н. Замолодчиков

Добавить в свой блог или на сайт

Похожие:

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт
Фрактальные и техноценологические структуры электрооборудования и сетей промышленных предприятий

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт
Требования к сигналам. Проблема обеспечения эмс. Типовая структура уфс. Основные типы активных приборов. Структура и энергетический...

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)
Изоляция электротехнического оборудования высокого напряжения и основы её проектирования

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт
...

Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт iconМинистерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический университет)
Целью дисциплины является изучение основных понятий, а также получение базовых умений в области управления рисками


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница