Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий




Скачать 436.88 Kb.
НазваниеРабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий
страница1/3
Дата конвертации30.12.2012
Размер436.88 Kb.
ТипПрограмма дисциплины
  1   2   3


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Ивановский государственный химико-технологический университет»

Факультет неорганической химии и технологии

Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники

Утверждаю: проректор по УР

_______________ В.В. Рыбкин

« » 20 г.

Рабочая учебная программа дисциплины

Процессы микро- и нанотехнологий

Направление подготовки 210100.62 Электроника и наноэлектроника


Профиль подготовки Микроэлектроника и твердотельная электроника


Квалификация (степень) Бакалавр


Форма обучения Очная

Иваново, 2010

1. Цели освоения дисциплины

Образовательные цели дисциплины:

Обобщить знания студентов в области физико-химических процессов, унифицировать знания и умения обучающихся в сфере классификации и выбора оптимального набора процессов обработки сырья и материалов в технологии микро- и наноэлектроники, выработать навыки работы в коллективе (малых группах), повысить уровень их квалификации и мастерства в области профессиональной деятельности, стимулируя их стремление к саморазвитию.

Профессиональные цели дисциплины:

Формировать знания в области современных тенденций развития электроники и методов обработки полупроводниковых материалов и структур с использованием различных технологий; способствовать развитию навыков по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники, разработке технологических инструкций и сопутствующей документации с описанием процессов обработки полупроводниковых подложек, используемого оборудования и расходных материалов.

Задачи дисциплины:

1. Изучить физико-химические основы технологических процессов формирования элементов и структур интегральных микросхем, печатных (коммутационных) плат.

2. Сформировать знания и умение по составлению технологических маршрутов изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе знаний о взаимозаменяемости базовых технологических процессов.

3. Научить студентов декомпозировать технологические маршруты производства полупроводниковых интегральных микросхем на основе понятий основных (базовых) и укрупненных групп технологических операций (процессов).

2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата

Дисциплина «Процессы микро- и нанотехнологий» относится к вариативным дисциплинам цикла профессиональных дисциплин направления «Электроника и наноэлектроника», базируется на результатах изучения дисциплин естественно-научного цикла, в том числе «Химия (общая и неорганическая), «Физика», «Физическая и коллоидная химия»; модуля профессиональной подготовки профессионального цикла и его вариативной части: «Материалы электронной техники», «Основы технологии электронной компонентной базы», Технология тонких пленок и покрытий». Это одна из основных профессиональных дисциплин профиля, так как без знания основ процессов микро- и нанотехнологии невозможна реализация эффективных подходов к разработке и организации технологических процессов в области электронной техники. Для успешного усвоения дисциплины студент должен

знать:

- закономерности поведение заряженных частиц в электрических и магнитных полях, законы электромагнитной индукции, диффузионных и волновых процессов, основы квантовой механики, квантовую статистику электронов в металлах и полупроводниках, строение и классификацию элементарных и сложных полупроводниковых материалов;

- электронное строение атомов и молекул, основы теории химической связи в соединениях разных типов, строение вещества в конденсированном состоянии, основные закономерности протекания химических процессов, химические свойства элементов различных групп периодической системы и их соединений;

- классификацию и характеристики объемных материалов (монокристаллических и поликристаллических), пленочных металлических, диэлектрических и полупроводниковых структур, применяемых в технологии микро- и наноэлектроники; законы конденсации, испарения (распыления) и сублимации объемных материалов;

- методы очистки полупроводниковых пластин и слитков;

уметь:

- применять законы физики и химии, решать типовые задачи, связанные с основными разделами физической и коллоидной химии, использовать физические законы при анализе и решении задач профессиональной деятельности;

- работать в качестве пользователя персонального компьютера, работать с программными средствами общего назначения и в составе малых групп;

- использовать термодинамические справочные данные и количественные соотношения неорганической химии для решения профессиональных задач;

- трактовать и описывать результаты процессов высокотемпературной диффузии, объемных и гетерогенных процессов с участием химических элементов различных групп периодической таблицы и их соединений.

владеть:

- методами поиска и обмена информацией в глобальных и локальных компьютерных сетях,

- методами проведения физических измерений, методами корректной оценки погрешностей при проведении физического эксперимента;

- теоретическими методами описания свойств простых и сложных веществ на основе их электронного строения и положения в периодической системе химических элементов;

- экспериментальными методами определения физико-химических свойств неорганических соединений - величины удельного сопротивления монокристаллических слитков (полупроводниковых пластин), степени их чистоты, глубины залегания p-n-переходов.

- типовыми методами очистки полупроводниковых пластин и слитков.


Освоение данной дисциплины как предшествующей необходимо при изучении следующих дисциплин:

- «Математическое моделирование технологических процессов»;

- «Корпускулярно-фотонные процессы и технологии»;

- «Технология и оборудование производства изделий электронной техники»

- «Ваккумно-плазменные процессы и технологии»


3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

3.1. Выпускник должен обладать следующими общекультурными компетенциями (ОК):

- способностью к кооперации с коллегами, работе в коллективе (ОК-3);

- способностью стремиться к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства (ОК-6).

3.2. Выпускник должен обладать следующими профессиональными компетенциями (ПК):

- способностью выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники (ПК-14);

- способностью разрабатывать инструкции по эксплуатации используемых технического оборудования и программного обеспечения для обслуживающего персонала (ПК-32).


В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

- знать: определение технологического процесса; стадии обработки полупроводниковых пластин; понятие лимитирующий стадии технологического процесса; перечень технологических параметров, влияющие на скорость, направление процесса и выход готовой продукции; определение основных и вспомогательных технологических операций; определение технологического маршрута; классификацию операций планарно-эпитаксиальной технологии; типы загрязнений полупроводниковых подложек и их источники; последовательность комплексной очистки подложек на различных стадиях технологического процесса; рецептуры жидкостных отмывочных сред и газовых смесей, используемых на производстве; неразрушающие методы контроля чистоты поверхности; определения гомоэпитаксии (автоэпитаксии), гетероэпитаксии, хемоэпитаксии, газофазной, жидкостной, молекулярно-пучковой эпитаксии, эпитаксии их металл-органических соединений; физико-химические особенности легирования эпитаксиальных слоев; основные методы контроля толщины эпитаксиальных слоев; классификацию и физико-химическую сущность процессов формирования диэлектрических (маскирующих, изолирующих и пассивирующих) слоев в технологии микро- и наноэлектроники; определения пиролитического и плазмохимического осаждения из газовой фазы; рекомендации по оптимальному проведению процессов формирования диэлектрических слоев на различных этапах технологического процесса; методы контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; назначение и характеристики литографических процессов в технологии полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат; назначение, свойства и типы резистов (фоторезистов) в технологии микро- и наноэлектроники; операции нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания и удаления резиста (фоторезиста); определение технологического слоя; физико-химические характеристики и технологические параметры проведения процессов литографического цикла; способы совмещения фотошаблона с подложкой, источники возникновения брака при фотолитографии; требования к шаблонам, методы их изготовления; определения, возможности и области применения современных видов литографии (электронолитография, рентгенолитографии, ионолитографии); назначение, характеристики, физические основы и области применения процессов формирования легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси; факторы, влияющие на эффективность внедрения примеси в объем полупроводниковых материалов, механизмы и модели высокотемпературной диффузии и ионного внедрения примеси; критерии выбора диффузантов; типы и конструкционные особенности ионных источников; методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения внедренной примеси; систему отчетной документации, сопровождающей технологический процесс; инструкции по эксплуатации базового технологического оборудования.

- уметь: работать в коллективе (малых группах) при решении профессиональных задач; выполнять работы по технической подготовке производства материалов и изделий электронной техники; классифицировать стадии обработки полупроводниковых пластин; выделять лимитирующий стадии технологического процесса; подбирать оптимальные параметры технологических процессов; отличать основные и вспомогательные технологические операции; компоновать технологический маршрут и разрабатывать инструкции по использованию технологического оборудования; классифицировать операции планарно-эпитаксиальной технологии, типы загрязнений полупроводниковых подложек и их источники; выполнять комплексную очистку подложек на различных стадиях технологического процесса; правильно применять жидкостные отмывочные средства и газовые смеси, проводить контроль чистоты поверхности полупроводниковых пластин и монокристаллических слитков с использованием неразрушающие физико-химических методов; выбирать режимы и параметры проведения гомоэпитаксиальных (автоэпитаксиальных), гетероэпитаксияльных, хемоэпитаксиальных, газофазных и жидкостных процессов; предсказывать результаты легирования эпитаксиальных слоев; применять на практике методы контроля толщины эпитаксиальных слоев; формировать на подложках диэлектрические слои; оптимизировать параметры пиролитического и плазмохимического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев из газовой фазы; владеть методикой контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; выбирать режимы и параметры литографических процессов в технологии производства полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат; подбирать необходимый тип резиста (фоторезиста) в технологии микро- и наноэлектроники; оптимизировать процессы (операции) нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания и удаления резиста (фоторезиста), совмещения фотошаблона с подложкой; минимизировать вероятность возникновения брака; формировать легированные области в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси и осуществлять между ними аргументированный выбор; выбирать диффузанты; применять методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения примеси;

- владеть: навыками работы в коллективе (малых группах) при решении профессиональных задач; алгоритмами работы по технической подготовке производства материалов и изделий электронной техники, компоновке технологических маршрутов и разработке инструкций по использованию технологического оборудования, выполнению комплексной очистки подложек, выбора жидкостных отмывочных средств и газовых смесей, контроля чистоты поверхности полупроводниковых пластин и монокристаллических слитков с использованием неразрушающих физико-химических методов, выбора режимов и параметров проведения гомоэпитаксиальных (автоэпитаксиальных), гетероэпитаксияльных, хемоэпитаксиальных, газофазных и жидкостных процессов, легирования эпитаксиальных слоев и контроля их толщины, формирования на подложках диэлектрических слоев, проведения процессов пиролитического и плазмохимического осаждения из газовой фазы; методикой контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; практическими навыками при подборе необходимого типа резиста (фоторезиста) в технологии микро- и наноэлектроники, проведении процессов нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания, удаления резиста (фоторезиста), совмещения фотошаблона с подложкой и выявлении брака; алгоритмами работы по формированию легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси, выбору диффузантов; методами контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения примеси.


4. Структура дисциплины «Процессы микро- и нанотехнологий»

Общая трудоемкость дисциплины составляет 6 зачетных единиц, 216 часов.

Вид учебной работы

Всего часов

Семестры

№ 7

Аудиторные занятия (всего)

102

102

В том числе:







Лекции (Л)

34

34

Практические занятия (ПЗ)

-

-

Семинары (С)

-

-

Лабораторные работы (ЛР)

68

68

Самостоятельная работа (всего)

114

114

В том числе:







Курсовой проект (работа)

-

-

Расчетно-графические работы

24

24

Реферат

15

15

Оформление отчетов по лабораторным работам

25

25

Подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам

14

14

Подготовка к экзамену

36

36

Вид промежуточной аттестации:: зачет (З), экзамен (Э)




З, Э

Общая трудоемкость час

зач. ед.

216

216

6

6

  1   2   3

Добавить в свой блог или на сайт

Похожие:

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий icon“процессы микро- и нанотехнологий”
Целью дисциплины является изучение физико-химических основ и технологических процессов формирования элементов и компонентов интегральных...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Нанотехнологии в электронике
«Физика конденсированного состояния», «Материалы электронной техники», «Вакуумно-плазменные процессы и технологии», «Техника высокого...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Схемотехника
Целью преподавания дисциплины является формирование знаний в области цифровых и аналоговых электронных схем, принципов их разработки,...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Х имические реакторы
Профиль подготовки Химическая технология и оборудование отделочного производства

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Материаловедение
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Введение в н анотехнологии
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Нанотехнологии в электронике
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconIii. Учебные издания
Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий : учеб пособие для вузов : в 2 т. / под общей ред. Ю. Н. Коркишко. М. Бином...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий iconРабоч ая учебная программа дисциплины Физические основы электронной техники
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница