«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности




Скачать 362.86 Kb.
Название«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности
страница1/2
Дата конвертации06.11.2012
Размер362.86 Kb.
ТипСамостоятельная работа
  1   2
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Ивановский государственный химико-технологический университет»

Факультет неорганической химии и технологии

Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники


УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС

По дисциплине «Корпускулярно-фотонные процессы и технологии».




подготовки специалистов с полным высшим образованием

по специальности


ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ


Составитель: к.х.н., доц. С.А. Смирнов


Иваново, 2011 г.


Рабочая учебная программа

по дисциплине "Корпускулярно-фотонные процессы и технологии"

Курс 5, семестр 9. Экзамен 9 семестр.

Общее число часов по дисциплине 211

Аудиторные занятия - 85 час.

Лекции - 34 час.

Лабораторные занятия - 51 час.

Самостоятельная работа - 126 час.

1. ВВЕДЕНИЕ.

1.1. Цели и задачи дисциплины.

Предметом изучения являются современные интенсивные технологические процессы в производстве изделий электроники, включая лазерные, электронно и ионно-лучевые технологии. Эти технологии относят к классу так называемых высоких технологий и их применение позволяет не только интенсифицировать производство тех или иных изделий, но и совершить скачок в технологических параметрах и качестве приборов. Поэтому важность изучения таких вопросов при подготовке инженера-технолога очевидна. Дисциплина предлагается для свободного выбора студентами.

1.2. Требования по дисциплине.

Студент должен: иметь представление:

- о роли и возможностях интенсивных технологий, в том числе лазерных, ионных, ионно-лучевых, электронно-лучевых, в производстве материалов и изделий твердотельной электроники и смежных областях техники;

знать и уметь использовать:

  • основные понятия и процессы взаимодействия лазерного излучения, ионных и электронных потоков с твердым телом;

  • особенности кинетики неравновесных гетерогенных процессов и их технологические возможности;

  • основы технологии лазерной, ионной, электронно-лучевой обработки поверхности твердых тел;

  • характер и направление влияния внешних факторов на скорость и другие параметры технологических процессов;

иметь навыки:

  • выбора методов и условий обработки материалов различной природы;

  • анализа взаимосвязи технологических режимов и качества обработки;


2. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ (учебные модули ).


2.1. Лазерные технологии в производстве изделий электронной техники

2.1.1. Лекционный материал: 14 час.

Лазерное излучение, его характеристики и возможности. Типы технологических лазеров. Физические и химические процессы при действии лазерного излучения на вещество. Лазерные технологии в производстве изделий электронной техники, их возможности и перспективы. Лазерные методы технологического контроля. Промышленные лазерные установки, правила безопасной работы на них.

2.1.2. Самостоятельная работа. 8 час.

Подготовка к промежуточному экзамену по модулю.

2.2. Электронно-лучевые технологии

2.2.1. лекционный материал: 12 час.

Физико-химические процессы при взаимодействии электронных потоков с веществом. Принципы построения электронно-лучевых установок и технологических процессов. Примеры электронно-лучевых технологий в производстве изделий электронной техники.

2.2.2. Самостоятельная работа. 6 час.

Подготовка к промежуточному экзамену по модулю.

2.3.Ионные и ионно-лучевые технологии

2.3.1. Лекционный материал: 14 часов.

Физико-химические закономерности взаимодействия ионных потоков с твердым телом. Принципы построения ионно-лучевых установок и их элементы. Примеры технологических ионных и ионно-лучевых процессов в производстве изделий электронной техники.

2.3.2. Самостоятельная работа. 8 час.

Подготовка к промежуточному экзамену по модулю.


Примечание: лабораторные занятия по дисциплине проводятся в рамках УНИРС по индивидуальным заданиям. Сюда же включается индивидуальная (42 часа) и самостоятельная (78 часов) работа.


3. ФОРМЫ КОНТРОЛЯ.

3.1. Промежуточное тестирование по модулям дисциплины, всего 5 - на 5, 8, 11, 14, 17 неделях.

3.2. Защита отчета по УНИРС на 18 неделе.


4. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА.

4.1. Основная:

1. Светцов, В. И, Смирнов, С. А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии.Иваново, 2009. 276 с.

2. Аброян, И.А., Андронов, А.Н., Титов, А.И. Физические основы электронной и ионной технологии  .— М.: Высш. шк., 1984  .— 320с.

3. Вендик, О.Г., Горин, Ю.Н., Попов, В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология  .— М.: Высш. шк., 1984  .— 240с.

4. Попов, В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология  .— М.: Высш. шк., 1984  .— 240с

5. Попов, В.Ф., Горин, Ю.Н. Процессы и установки электронной технологии  .— М.: Высш. шк., 1988  .— 255с.

4.2 Дополнительная:

1. Дьюли, У. Лазерная технология и анализ материалов  .— М.: Мир, 1986  .— 504 с.

2. Методы нанолитографии : достижения и перспективы : [моногр.] / Г. С. Константинова [и др.]. - Ростов н/Д : Терра-принт, 2008. - 112 с. : ил. - Библиогр. : с. 110-111.

3. Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки: Учеб. Пособие для вузов /Под ред. А.Г. Григорьянца.-М.: Изд-во МГТУ им.Н.Э. Баумана, 2006.-664 с.


5. ПРИМЕНЕНИЕ ЭВМ.

5.1. Расчетные программы:

  • расчет распределения концентрации примеси при ионной имплантации;

  • расчет коэффициентов ионного распыления твердых тел;

  • расчет скорости нагрева металлической мишени лазерным излучением;

  • расчет градиента температуры по металлической мишени при нагреве лазерным излучением;

  • расчет временной зависимости температуры металлической мишени при лазерном нагреве;

  • расчет распределения температуры по глубине металлической мишени при нагреве лазерным излучением.

5.2. Обучающе- контролирующие системы:

- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;

- текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки.

5.3. Справочно-информационные системы:

- базы данных по типам и параметрам технологических лазеров;


4. График текущего и промежуточного контроля


№ недели

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

Лекции

2




2




2




2




2




2




2




2




Семинары




4




4




4




4




4




4




4




4

Контроль










1










2










3










4

Зачет














































Х


Порядок оценки работы студентов по дисциплине

Семестровая работа оценивается накопительно из расчета 50 баллов всего.

Обсуждение вопросов на семинарские занятия: 10

Подготовка и защита реферата 15

Контрольные работы и тестирование: 20

Самостоятельная индивидуальная работа: 5

Студент также может получить дополнительные баллы

  • за самостоятельную работу (индивидуальное домашнее задание),

  • за активную работу на семинарских занятиях,

  • досрочное предоставление реферата, самостоятельность, проявленную при его оформлении.



5. Карта обеспеченности дисциплины учебной и методической литературой

Сведения об обеспеченности образовательного процесса учебной литературой по дисциплине


№ п/п

Авторы, название, место издания, издательство, год издания, количество страниц

Вид издания

(учебник, уч. пособие, и т.д.)

Категория

(Основная,

дополнительная)

Кол-во обучающихся, одновременно изучающих данную дисциплину

Кол-во экземпляров в библиотеке

Кол-во

экз. на

1 обуч.

1

2

3

4

5

6



Светцов, В. И, Смирнов, С. А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии. Иваново, 2009. 276 с.

Уч. пособие. Гриф УМО

основная

4

80

20



Аброян, И.А., Андронов, А.Н., Титов, А.И. Физические основы электронной и ионной технологии  .— М.: Высш. шк., 1984  .— 320с

Учебник

основная

52

13



Вендик О.Г. и др. Корпускулярно-фотонная технология: Учеб. пособие для вузов/Вендик О.Г.,Ю. Н.Горин,В.Ф.Попов.-М.:Высш.шк.,1984.-240 с.

Уч. пособие.

основная

20

5



Попов, В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология  .— М.: Высш. шк., 1984  .— 240с

Учебник

основная

10

2



Попов, В.Ф., Горин, Ю.Н. Процессы и установки электронной технологии  .— М.: Высш. шк., 1988  .— 255с.

Учебник

основная

2

0.5



Дьюли, У. Лазерная технология и анализ материалов  .— М.: Мир, 1986  .— 504 с

Учебник

дополнительная

2

0,5



Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки: Учеб. Пособие для вузов /Под ред. А.Г. григорьянца.-М.:Изд-во МГТУ им.Н.Э. Баумана, 2006.-664 с.

Учебное пособ

дополнительная

2

0,5



Методы нанолитографии : достижения и перспективы : [моногр.] / Г. С. Константинова [и др.]. - Ростов н/Д : Терра-принт, 2008. - 112 с.

Учебник

дополнительная

1

0.25



6. Перечень практических занятий по дисциплине и программа их проведения

Цель семинарских занятий – закрепление теоретического материала и выработка у студентов умения решать вопросы и задачи по практическим аспектам учебной дисциплины.

В соответствии с рабочей программой на семинарские занятия отводится 32 часа – по 6 часа на каждый модуль дисциплины. На первом занятии преподаватель доводит до студентов порядок и график проведения занятий, максимальное количество баллов, которое может набрать студент по каждому модулю в соответствии с принятой в университете рейтинговой системой со 100-балльной шкалой оценок

Семинарские занятия по дисциплине строятся следующим образом:

  1. Вводная преподавателя. Цели занятия, основные вопросы, которые должны быть рассмотрены (0,5 часа).

  2. Беглый опрос (0,2 часа).

  3. Коллективное обсуждение вопросов (1 час) либо решение задач.

  4. Подведение итогов, выводы, объявление оценок по занятию (0,3 часа).

Задания и задачи для самостоятельного решения на практическом занятии могут быть дифференцированы по степени сложности. При этом можно использовать два пути:

  1. Давать определенное количество задач для самостоятельного решения, равных по трудности, а оценку ставить за количество решенных за определенное время задач.

  2. Выдавать задания с задачами разной трудности и оценку ставить за трудность решенной задачи.

По результатам самостоятельного решения задач следует выставлять по каждому занятию оценку. Оценка предварительной подготовки студента к семинарскому занятию может быть сделана путем экспресс-тестирования (тестовые задания закрытой формы) в течение 5, максимум - 10 минут. Таким образом, на каждом занятии каждому студенту выставляются по крайней мере две оценки.

6.2. Перечень практических занятий.

Тематика семинарских занятий соответствует названиям модулей дисциплины, основные вопросы, выносимые на занятия, приведены в рабочей программе дисциплины.

  1   2

Добавить в свой блог или на сайт

Похожие:

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности icon«Вакуумно-плазменные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности
Дисциплина "вакуумно-плазменные технологии" входит в цикл специальных дисциплин в качестве дисциплины специализации для специальности...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности icon«Физическая электроника и электронные приборы». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности
Это одна из основных теоретических дисциплин специальности, ибо без знания физики работы приборов невозможны сознательные и эффективные...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconСпециальности (направления)
Дисциплина “Отечественная история” входит в государственный стандарт подготовки специалистов с высшим образованием

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconПрограмма производственной практики
...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconРабочая программа подготовки клинических ординаторов по специальности «Терапия»
Программа составлена на основании Государственного стандарта послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconПрограмма Профессиональная переподготовка специалистов, имеющих высшее образование Профессиональная подготовка специалистов с высшим образованием по программе «Оценочная деятельность»
Профессиональная подготовка специалистов с высшим образованием по программе «Оценочная деятельность» специализация «Оценка стоимости...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconОбразовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов
Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим образованием по специальности «травматология...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности icon«согласовано» Руководитель департамента образовательных медицинских учреждений и кадровой политики мз РФ
Государственный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием по специальности...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconПрограмма послевузовского профессионального образования в ординатуре специалистов с высшим медицинским образованием по специальности
Охватывает программу подготовки специалиста. Вторая часть экзамена заключается в подтверждении выпускником практических навыков и...

«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности iconМетодические рекомендации по преподаванию специальности Учебный план по специальности кардиология
Послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности «кардиология»


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница