Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники




Скачать 470.32 Kb.
НазваниеРабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники
страница3/4
Дата конвертации25.03.2013
Размер470.32 Kb.
ТипПрограмма дисциплины
1   2   3   4

Модуль 2

В каком температурном интервале удельное сопротивление металлов практически линейно растет с увеличением температуры? Обозначения: D – температура Дебая, Tпл – температура плавления.

А. 0 < T < Tпл Б. Т<D В. D < T < Tпл

Какое из приведенных ниже выражений отражает температурную зависимость удельного сопротивления металлов при температуре D < T < Tпл?

А. =0(1 – (ТТ0)) Б. =0(1 + (ТТ0)) В. =0+(ТТ0)


Какое из приведенных ниже выражений пригодно для оценки средней энергии свободных электронов в металлах?

А. Б. В.


Как влияют примеси на удельное сопротивление металлов?

А. – любые примеси увеличивают удельное сопротивление металлов

Б. – примесь уменьшает удельное сопротивление, если примесью является металл с меньшим удельным сопротивлением

В. – примесь может уменьшать или увеличивать удельное сопротивление в зависимости от ее природы и концентрации


Выберите выражения, верно отражающие правило Нордгейма для двухкомпонентного сплава типа неупорядоченного твердого раствора:

А. Б.

В. Г.


Выберите выражения, верно отражающие правило Маттиссена.

А. Б.

В. Г.


Укажите правильное соотношение между температурными коэффициентами сопротивления, удельного сопротивления и линейного расширения проводника:

А. Б. В.


Из меди, вольфрама и нихрома изготовлены проводники одинакового сечения и длины. Какой из этих проводников характеризуется наиболее слабой зависимостью сопротивления от температуры?

А. – медь Б. – вольфрам В. – нихром


Укажите высказывания, справедливые в отношении электрических свойств тонких пленок металлов:

А. – удельное сопротивление тонких пленок металлов не зависит от температуры

Б. – удельное сопротивление тонких пленок металлов зависит только от температуры и состава пленки

В. – удельное сопротивление тонких пленок металлов зависит от температуры, толщины пленки, ее состава и способа получения

Г. – температурный коэффициент удельного сопротивления тонких пленок металлов может принимать отрицательные значения


Как изменяется удельное сопротивление тонких металлических пленок с ростом толщины пленки?

А. – не изменяется Б. – увеличивается В. – уменьшается


Как изменяется температурный коэффициент удельного сопротивления тонких металлических пленок с ростом толщины пленки?

А. – не изменяется Б. – увеличивается В. – уменьшается


Какой металл используют для изготовления тонкопленочных токоведущих дорожек интегральных микросхем?

А. – вольфрам Б. – алюминий В. – платина

Какие из металлов можно использовать для изготовления накаливаемых катодов электровакуумных приборов?

А. – медь Б. – алюминий В. – вольфрам Г. – ниобий


Как влияет термическая закалка на удельное сопротивление металлов?

А. – увеличивает удельное сопротивление

Б. – уменьшает удельное сопротивление

В. – не оказывает никакого влияния


Какой из эффектов используется для превращения тепловой энергии в электрическую?

А. – эффект Пельтье Б. – эффект Холла В. – эффект Зеебека Г. – эффект Томсона


Сопротивление квадрата пленочного проводника равно 20 Ом/квадрат при толщине пленки 0,02 мкм. Чему равно удельное сопротивление этого проводника?

А. – 4×10-4 Ом см Б. – 4×10-5 Ом см В. – 1×103 Ом см-1


Модуль 3

Расположите следующие полупроводники в порядке увеличения ширины запрещенной зоны: кремний, германий, арсенид галлия.

А. Ge – GaAs – Si Б. GaAs – Si – Ge В. Ge – Si – GaAs


Пользуясь справочными данными, найдите отношение электронного тока к дырочному в собственном германии.


Пользуясь справочными данными, найдите отношение электронного тока к дырочному в собственном арсениде галлия


Оцените концентрацию дырок в n-Si при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 2,251015 см-3.

Оцените концентрацию дырок в n-Ge при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 6,251015 см-3.


Диффузионная длина электронов в кристалле германия равна 0,1 мм. Оцените время жизни электронов в этом кристалле, используя справочные данные.


Время жизни неравновесных носителей заряда (электронов) в кремнии составляет 100 мкс. Используя справочные данные, оцените диффузионную длину электронов.


Какие из механизмов поглощения света полупроводниками приводят к генерации неравновесных носителей заряда?

А. – собственное поглощение Б. – экситонное поглощение В. – решеточное поглощение Г. – поглощение свободными носителями


Какому из механизмов поглощения в полупроводнике соответствует наименьшая длина волны поглощаемого излучения?

А. – собственное поглощение Б. – экситонное поглощение В. – решеточное поглощение
Г. – поглощение свободными носителями заряда Д. – примесное поглощение


Оцените пороговую длину волны, соответствующую собственному поглощению кремния при комнатной температуре.


Длина волны излучения при рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике определяется

А. – концентрацией примеси Б. – шириной запрещенной зоны В. – средней энергией электронов проводимости


Красная граница внутреннего фотоэффекта в полупроводнике определяется

А. – концентрацией основных носителей заряда Б. – энергией ионизации примеси В. – шириной запрещенной зоны


Оцените пороговую длину волны собственного поглощения фосфида индия при комнатной температуре.


Для какого из полупроводниковых материалов: GaAs или Al0,3Ga0,7As, - край собственного поглощения находится в более коротковолновой области спектра?


Как изменяется период кристаллической решетки в ряду полупроводников: GaAs - GaAs0.7P0.3 - GaAs0.5P0.5 - GaAs0.2P0.8 - GaP? Оцените период решетки твердого раствора состава GaAs0.5P0.5.


К какому классу полупроводников относится селенид цинка? Почему собственный ZnSe обладает электронным типом проводимости?


Оцените постоянную Холла для Ge, легированного фосфором до концентрации 51015 см-3.


Модуль 4

Перечислите основные механизмы поляризации диэлектриков.


Какой механизм электропроводности характерен для ионных кристаллов? Чем обусловлена температурная зависимость электропроводности таких диэлектриков?


С какой целью на поверхность изоляторов может наноситься водоотталкивающее покрытие?

А - Для снижения поверхностного удельного сопротивления Б - для снижения вероятности поверхностного пробоя В - для увеличения поверхностного удельного сопротвления


Какой механизм пробоя характерен для диэлектриков при импульсном воздействии высокого напряжения?

А - тепловой Б - электрический обратимый В - электрохимический


Какой из полимерных диэлектриков сильнее нагревается в ВЧ электрическом поле при одинаковых условиях эксплуатации?

А. – полиимид Б. – полиэтилентерефталат В. – политетрафторэтилен
Г. – полиэтилен Е – полистирол


Какие из перечисленных полимерных диэлектриков относятся к высокочастотным?

А. – полиимид Б. – полиэтилентерефталат В. – политетрафторэтилен
Г. – полиэтилен Е – полистирол


Какие из перечисленных полимерных диэлектриков относятся к низкочастотным?

А. – полиимид Б. – полиэтилентерефталат В. – политетрафторэтилен
Г. – полиэтилен Е – полистирол Ж – поливинилхлорид


Из какого материала Вы предлагаете изготовить изолятор СВЧ разъема: из политетрафторэтилена или полиэтилентерефталата? Почему?


Используя справочные данные, оцените напряжение пробоя для пленки полиамида толщиной 50 мкм в однородном электрическом поле.


Используя справочные данные, оцените напряжение пробоя для пленки полиэтилена толщиной 100 мкм в однородном электрическом поле.


Используя справочные данные, найдите отношение удельных диэлектрических потерь в полиэтилене и ПВХ при одинаковых условиях эксплуатации (частота поля 1 МГц).


Найдите удельные диэлектрические потери в пленке лавсана при напряженности поля 105 В/м на частоте 1 МГц.


Найдите удельные диэлектрические потери в пленке полиэтилена при напряженности поля 105 В/м на частоте 1 МГц.


Для какого из перечисленных стекол шире интервал размягчения?

А - плавленый кварц Б - силикатное стекло с большим содержанием Na2O
В - силикатное стекло с большим содержанием Na2O и оксидов бария и титана


Для какого из материалов (плавленый кварц или силикатное стекло с большим содержанием Na2O) выше значение tg?


Равновесные краевые углы смачивания поверхности ПВХ, лавсана (ПЭТФ) и фторопласта (ПТФЭ) водой составляют 38, 56 и 104 градуса, соответственно. Расположите эти диэлектрики в порядке увеличения их поверхностного удельного сопротивления при одинаковых условиях эксплуатации во влажной среде.

А - ПВХ, ПЭТФ, ПТФЭ Б - ПТФЭ, ПЭТФ, ПВХ В - ПЭТФ, ПВХ, ПТФЭ


Стекло какого из приведенных ниже составов характеризуется минимальным значением объемного удельного сопротивления?

А. 100% SiO2 Б. 90% SiO2 + 10% K2O В. 90% SiO2 + 5% K2O + 5% Na2O
Г. 90% SiO2 + 10% Na2O


Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:

- тестовый экзамен (32 закрытых задания, каждое задание оценивается в 1 балл), на котором студент должен набрать не менее 26 баллов – оценка «удовлетворительно»;

- письменный экзамен, который проводится по вопросам, приводимым ниже. Экзаменационный билет включает шесть вопросов из приводимого ниже перечня. Ответ на каждый вопрос оценивается из 3 баллов. Студент на письменном экзамене может набрать до 18 баллов.

Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и письменной частей.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ

по дисциплине Материалы электронной техники

  1. Дайте определение монокристаллов.

  2. Охарактеризуйте кратко поликристаллические тела.

  3. Дайте краткую характеристику аморфных тел.

  4. Можно ли говорить о температуре плавления стекол?

  5. Дайте определение полиморфизма, приведите примеры аллотропных модификаций веществ.

  6. Охарактеризуйте кристаллическую структуру типа алмаза.

  7. Опишите кристаллическую структуру типа сфалерита.

  8. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в структуре алмаза?

  9. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в структуре сфалерита?

  10. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку кристалла с кубической гранецентрированной решеткой?

  11. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку кристалла с кубической объемноцентрированной решеткой?

  12. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в кристалле кремния?

  13. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку хлорида натрия?

  14. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в монокристалле арсенида галлия?

  15. Выразите поверхностную плотность упаковки атомов в плоскости (100) монокристалла Ge через период решетки

  16. Выразите поверхностную плотность упаковки атомов в плоскости (100) монокристалла Si через период решетки

  17. Вычислите расстояние между ближайшими атомами в кристаллической решетке алюминия, используя необходимые справочные данные.

  18. Вычислите расстояние между ближайшими атомами в кристаллической решетке вольфрама, используя необходимые справочные данные.

  19. Вычислите расстояние между ближайшими атомами в кристаллической решетке кремния, используя необходимые справочные данные.

  20. Дайте определение анизотропии свойств твердых тел, назовите причины анизотропии.

  21. Какие классы твердых тел (монокристаллические, поликристаллические, аморфные) обладают анизотропией свойств?

  22. Назовите виды химических связей, реализующихся в твердых телах.

  23. Изобразите качественно и охарактеризуйте потенциальную кривую двухчастичного взаимодействия при образовании химической связи.

  24. Дайте определение энергии кристаллической решетки. Покажите, как найти энергию решетки ионного кристалла в классическом приближении.

  25. Дайте краткую характеристику ионной связи в кристаллах. Приведите примеры ионных кристаллов, охарактеризуйте их общие свойства.

  26. Дайте краткую характеристику ковалентной связи в кристаллах. Приведите примеры кристаллов с ковалентной связью, охарактеризуйте их общие свойства.

  27. Дайте краткую характеристику металлической связи. Приведите примеры веществ с металлической связью, охарактеризуйте их общие свойства.

  28. Какие виды взаимодействия приводят к образованию молекулярных кристаллов? Приведите примеры молекулярных кристаллов.

  29. Одинаковы или различны значения постоянной Маделунга в кристаллах NaCl и LiF, которые относятся к одному кристаллическому типу?

  30. Приведите примеры точечных дефектов в кристаллах.

  31. Как зависит от температуры равновесная концентрация вакансий в кристаллах?

  32. Приведите примеры точечных и протяженных дефектов реальных кристаллов.

  33. Приведите примеры, отражающие влияние точечных дефектов на свойства кристаллов.

  34. Почему при образовании твердого тела энергетические уровни атомов расщепляются в энергетические зоны?

  35. Чем отличаются зонные структуры проводника, полупроводника и диэлектрика?

  36. Как влияет температура на концентрацию свободных электронов в металле?

  37. Изобразите качественно температурную зависимость удельного сопротивления металлов в интервале от 0 К до температуры плавления. Назовите причины зависимости удельного сопротивления от температуры.

  38. Насколько сильно отличается средняя энергия свободных электронов в металлах и в невырожденных полупроводниках при комнатной температуре?

  39. Получите выражение для удельного сопротивления металлов в классическом приближении Друде.

  40. Каковы противоречия классической теории электропроводности металлов и как они разрешаются в квантовой теории?

  41. Дайте определение температурного коэффициента удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления. Какова связь между ними?

  42. Почему металлические сплавы типа неупорядоченных твердых растворов обладают более высоким удельным сопротивлением, чем чистые компоненты, образующие сплав?

  43. Сформулируйте правило Матиссена.

  44. Изобразите качественно, как изменяется удельное сопротивление двухкомпонентного сплава, представляющего собой неупорядоченный твердый раствор, в зависимости от его состава.

  45. Запишите правило Нордгейма для двухкомпонентного сплава типа неупорядоченного твердого раствора.

  46. При каком соотношении компонентов сплава типа неупорядоченного твердого раствора его удельное сопротивление будет максимальным в предположении справедливости закона Нордгейма?

  47. Почему при термической закалке удельное сопротивление металлов увеличивается, а при термическом отжиге – уменьшается?

  48. Имеются одинаковые по длине и сечению проводники из никеля и нихрома. Для какого из них температурная зависимость сопротивления будет сильнее?

  49. Изобразите качественно зависимость удельного сопротивления и температурного коэффициента удельного сопротивления тонких проводящих пленок от толщины. Прокомментируйте эти зависимости.

  50. Почему в очень тонких металлических пленках температурный коэффициент удельного сопротивления может быть меньше нуля?

  51. Дайте определение удельного поверхностного сопротивления.

  52. Из меди, вольфрама и нихрома изготовлены проводники одинакового сечения и длины. У какого из этих проводников сопротивление слабее всего зависит от температуры?

  53. Какие критерии учитываются при выборе материалов для тонких проводящих и резистивных пленок в изделиях микроэлектроники?

  54. Назовите основные методы получения тонких металлических пленок в микроэлектронике.

  55. Необходимо создать тонкопленочный резистор для ИМС. Какой металл (алюминий или вольфрам) предлагаете использовать для этих целей?

  56. Что такое керметы и для чего они применяются?

  57. Какие металлы и в каких условиях могут переходить в состояние сверхпроводимости? Что является причиной образования куперовских пар?

  58. В каких материалах обнаружено явление высокотемпературной сверхпроводимости? Какие перспективы открываются в случае широкого использования этих материалов?

  59. Что такое водородная болезнь меди?

  60. Почему изделия из чистого вольфрама оказываются очень непрочными при высокой температуре эксплуатации? Как достигается повышенная прочность и формоустойчивость изделий из вольфрама?

  61. Какими методами получают тонкие пленки из тугоплавких металлов для изделий микроэлектроники?

  62. Как связаны между собой температурные коэффициенты сопротивления, удельного сопротивления и линейного расширения для металлических проводников?

  63. Сопротивление квадрата пленочного проводника равно 20 Ом при толщине пленки 0,2 мкм. Чему равно удельное сопротивление этого проводника?

  64. В каких условиях возможно появление термоЭДС в замкнутой цепи. Назовите основные механизмы, ответственные за возникновение термоЭДС.

  65. Какие основные виды проводников электрического тока вам известны?

  66. Какие свойства меди определяют ее широкое применение в электронной технике?

  67. Какими преимуществами и недостатками обладает по сравнению с медью алюминий как проводниковый материал?

  68. Назовите тугоплавкие металлы, приведите примеры их применения в электронной технике.

  69. Чем обусловлено широкое применение тантала в производстве конденсаторов?

  70. Какие материалы входят в состав контактола? Сформулируйте требования к ним. Для каких целей используются контактолы в электронной технике?

  71. Дайте определение собственного и примесного полупроводника. Изобразите зонную структуру собственного полупроводника, донорного и акцепторного полупроводника.

  72. Дайте определение основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках.

  73. Запишите закон действующих масс для полупроводника.

  74. Объясните, как найти концентрацию основных и неосновных носителей заряда в электронном полупроводнике с известной степенью легирования на участке истощения примеси.

  75. Объясните, как найти концентрацию основных и неосновных носителей заряда в дырочном полупроводнике с известной степенью легирования на участке истощения примеси.

  76. Изобразите температурную зависимость равновесной концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике. Объясните, как по этой зависимости определить ширину запрещенной зоны полупроводника.

  77. Изобразите качественно температурную зависимость равновесной концентрации электронов в донорном полупроводнике в широком интервале температур. Укажите температуры истощения примеси и перехода к собственной проводимости.

  78. От каких характеристик полупроводникового материала зависит температура истощения примеси?

  79. От каких характеристик полупроводникового материала зависит температура перехода к собственной проводимости?

  80. Запишите условие квазинейтральности для полупроводника, легированного одновременно донорной и акцепторной примесью.

  81. Сколько электронов находится на уровне Ферми в собственном полупроводнике при комнатной температуре?

  82. Объясните, какая из дырок обладает большей энергией: в центре валентной зоны или у ее потолка?

  83. Установите взаимосвязь между донорным или акцепторным поведением примесей замещения в ковалентных полупроводниках и валентностью примесного атома.

  84. Объясните основные различие между вырожденным и невырожденным электронным газом.

  85. Может ли удельное сопротивление полупроводников возрастать при нагревании?

  86. Будет ли наблюдаться эффект Холла в собственном полупроводнике? Если да, то чем будет определяться знак постоянной Холла?

  87. Объясните, как определить тип основных носителей заряда в полупроводнике по измерениям ЭДС Холла.

  88. Объясните, как определить тип основных носителей заряда в полупроводнике по измерениям термоЭДС.

  89. Каково отношение электронного тока к дырочному в собственном германии при Т=300 К?

  90. Каково отношение электронного тока к дырочному в собственном арсениде галлия Т=300?

  91. Оцените концентрацию дырок в n-Si при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 2,251015 см-3.

  92. Оцените концентрацию дырок в n-Ge при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 6,251015 см-3.

  93. Какими элементами можно легировать GaAs для получения электронного типа проводимости?

  94. Всегда ли можно утверждать, что мы имеем дело с собственным полупроводником, если его удельное сопротивление близко к собственному? Почему?

  95. Назовите основные механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Каковы для этих механизмов температурные зависимости подвижности?

  96. Что такое экситоны? Участвуют ли экситоны в переносе тока в полупроводниках?

  97. Будет ли наблюдаться эффект Холла в собственном полупроводнике? Если да, то чем будет определяться знак постоянной Холла?

  98. Какова связь между временем жизни и диффузионной длиной неравновесных носителей заряда?

  99. Назовите основные факторы, от которых зависят время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда.

  100. Сравните (качественно) времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в собственном и компенсированном полупроводниках, имеющих одинаковые удельные сопротивления.

  101. Диффузионная длина электронов в кристалле германия равна 1 мм. Оцените время жизни электронов в этом кристалле, используя справочные данные.

  102. Назовите основные механизмы поглощения света в полупроводниках. Какие механизмы приводят к изменению электропроводности полупроводников?

  103. Оцените пороговую длину волны собственного поглощения кремния при комнатной температуре.

  104. Оцените пороговую длину волны собственного поглощения фосфида индия при комнатной температуре.

  105. Имеется две термопары: одна из металлических проводников, другая из полупроводников с разным типом проводимости. Какая из термопар более чувствительна к изменению температуры и почему?

  106. Назовите основные методы металлургической очистки кремния и германия.

  107. Какими методами получают полупроводниковые монокристаллы?

  108. Что такое эпитаксия? Назовите виды эпитаксии.

  109. Дайте сравнительную характеристику кремния и германия как материалов электроники.

  110. Назовите основные области применения кремния и германия в электронной технике.

  111. Охарактеризуйте кристаллическую структуру и химическую связь в полупроводниках АIIIВV.

  112. Почему у антимонида индия собственная удельная проводимость определяется только концентрацией электронов, а вкладом дырок можно практически пренебречь?

  113. Назовите основные области применения полупроводниковых соединений АIIIВV и твердых растворов на их основе.

  114. Как изменяется период решетки трехкомпонентного твердого раствора на основе соединений АIIIВV в зависимости от их состава?

  115. Для какого из полупроводниковых материалов: GaAs или Al0,3Ga0,7As, - край собственного поглощения находится в более коротковолновой области спектра?

  116. Запишите закон Вегарда для трехкомпонентного полупроводникового твердого раствора.

  117. Как изменяется период кристаллической решетки в ряду полупроводников: GaAs - GaAs0.7P0.3 - GaAs0.5P0.5 - GaAs0.2P0.8 - GaP? Оцените период решетки твердого раствора состава GaAs0.5P0.5.

  118. Охарактеризуйте кристаллическую структуру и химическую связь в полупроводниках АIIВVI.

  119. Дайте характеристику свойств и назовите основные области применения полупроводниковых соединений АIIВVI и твердых растворов на их основе.

  120. К какому классу полупроводников относится селенид цинка? Почему собственный ZnSe обладает электронным типом проводимости?

  121. Оцените постоянную Холла для германия, легированного фосфором до концентрации 51018 см-3.

  122. Назовите основные механизмы поляризации диэлектриков.

  123. Дайте классификацию диэлектриков, применяемых в электронной технике.

  124. Какой механизм электропроводности характерен для ионных кристаллов? Чем обусловлена температурная зависимость электропроводности таких диэлектриков?

  125. Чем обусловлена поверхностная электропроводность диэлектриков?

  126. С какой целью на поверхность изоляторов может наноситься водоотталкивающее покрытие?

  127. Назовите основные механизмы пробоя твердых диэлектриков.

  128. Какой механизм пробоя характерен для диэлектриков при импульсном воздействии высокого напряжения?

  129. Как оценить напряжение теплового пробоя диэлектрика?

  130. Что такое диэлектрические потери? Какие факторы влияют на диэлектрические потери в твердых диэлектриках?

  131. Полимерные диэлектрики: общая характеристика и применение в электронной технике.

  132. Какой из полимерных диэлектриков сильнее нагревается в ВЧ электрическом поле: полиэтилен или поливинилхлорид?

  133. Из какого материала Вы предлагаете изготовить изолятор СВЧ разъема: из политетрафторэтилена или полиэтилентерефталата? Почему?

  134. Оцените напряжение пробоя для пленки полиимида толщиной 50 мкм в однородном электрическом поле.

  135. Оцените напряжение пробоя для пленки полиэтилена толщиной 100 мкм в однородном электрическом поле.

  136. Используя справочные данные, найдите отношение удельных диэлектрических потерь в полиэтилене и ПВХ при одинаковых условиях эксплуатации.

  137. Найдите удельные диэлектрические потери в пленке лавсана при напряженности поля 105 В/м на частоте 1 МГц.

  138. Влияние состава стекла на его свойства.

  139. Классификация стекол по техническому назначению.

  140. Найдите отношение температурных коэффициентов расширения электровакуумных стекол марки С37 и С90.

  141. Для какого из материалов (кварц или силикатное стекло с большим содержанием Na2O) шире интервал размягчения?

  142. Для какого из материалов (плавленый кварц или силикатное стекло с большим содержанием Na2O) выше значение tg?

  143. Ситаллы и их применение в электронной технике.

  144. Керамика и ее применение в электронной технике.

  145. Классификация активных диэлектриков и области их применения в электронной технике.

  146. Какие диэлектрики называют активными? В чем различие требований к активным и пассивным диэлектрикам?

  147. Какая электрическая упорядоченность свойственна сегнетоэлектрикам?

  148. Назовите наиболее важные применения сегнетоэлектриков. На каких свойствахматериалов основаны эти применения?

  149. Что такое прямой и обратный пьезоэффект? В каких диэлектриках можно наблюдать эти явления?

  150. От каких факторов зависят пьезоэлектрические свойства сегнетоэлектрической керамики? В чем преимущества пьезокерамики перед монокристаллическими пьезоэлектриками?

  151. Что такое пироэлектрический эффект? Какие применения пироэлектриков вам известны?

  152. Какова природа электретного эффекта в диэлектриках? Что такое гомо- и гетерозаряд?

  153. В чем различие между жидким состоянием вещества и «жидким кристаллом»?

  154. Назовите основные области применения жидких кристаллов в электронной технике.

  155. Классификация магнитных материалов по свойствам и техническому назначению.

  156. Какие магнитомягкие материалы имеют высокое значение магнитной проницаемости в слабых магнитных полях?

  157. Каково влияние кремния на свойства электротехнической стали?

  158. Каковы частотные характеристики высокопроницаемых и низкопроницаемых ферритов?

  159. В чем сходство и различие магнитных свойств ферритов и ферромагнетиков?

  160. Каково строение магнитодиэлектриков и в каких целях они используются?

  161. Какие магнитные материалы обладают прямоугольной петлей гистерезиса? Каково их основное применение?

  162. Назовите важнейшие характеристики магнитотвердых материалов.

1   2   3   4

Похожие:

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабоч ая учебная программа дисциплины Нанотехнологии в электронике
«Физика конденсированного состояния», «Материалы электронной техники», «Вакуумно-плазменные процессы и технологии», «Техника высокого...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабоч ая учебная программа дисциплины Физические основы электронной техники
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабоч ая учебная программа дисциплины Технология материалов твердотельной электроники
Целью освоения дисциплины является изучение общих подходов к описанию и анализу технологических процессов, а так же сущности и назначения...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабочая программа дисциплины «физические основы электроники»
Изучение дисциплины базируется на знаниях, полученных студентами при изучении дисциплин «Физика», «Материалы и элементы электронной...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабоч ая учебная программа дисциплины Физи ческая химия материалов и процессов электронной техники
Целями освоения дисциплины являются изучение физико-химических основ получения материалов путем кристаллизации в различных условиях,...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconПрограмма учебной дисциплинЫ «материалы электронной техники»
...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconУчебно-методический комплекс дисциплины «материалы и элементы электронной техники»
Проектирование учебного процесса по учебной дисциплине «Материалы и элементы электронной техники» (мээт) (4, 5 семестры)

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconРабоч ая учебная программа дисциплины Основы проектирования электронной компонентной базы
Целями освоения дисциплины являются изучение основ проектирования электронной компонентной базы, современных методов и маршрутов...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconВ основу настоящей программы положены следующие дисциплины: Материалы и элементы электронной техники; Твердотельная электроника; Микроэлектроника; Основы
В основу настоящей программы положены следующие дисциплины: Материалы и элементы электронной техники; Твердотельная электроника;...

Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники iconВ основу настоящей программы положены следующие дисциплины: Материалы и элементы электронной техники; Твердотельная электроника; Микроэлектроника; Основы
В основу настоящей программы положены следующие дисциплины: Материалы и элементы электронной техники; Твердотельная электроника;...


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница