Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник)




Скачать 181.31 Kb.
НазваниеПрограмма конференции 07 октября 2008 г. (вторник)
Дата конвертации16.11.2012
Размер181.31 Kb.
ТипПрограмма
Программа конференции


07 октября 2008 г. (вторник)

9.30 -10.30 регистрация участников конференции

(в фойе большого конференц-зала)

10.30 - открытие конференции

10.30 - 13.00 - пленарное заседание


УТРЕННяя сессия, 10.30 – 13.00


Большой конференц-зал


10.30 – 10.45 ПРИВЕТСТВИЕ генерального директора ФГУП «НПП «Пульсар» А.Г Васильева

10.45 – 11.00 О регламенте

О конкурсе докладов молодых специалистов

О публикации материалов конференции

от организационного и программного комитетов

Ю. А. Кузнецов, В.Ф. Синкевич


Пленарное заседание

Председатель д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев


11.00 – 11.15 Комплексное целевое планирование развития отечественной сверхвысокочастотной электроники

А.А. Борисов, В.А. Телец, ФГУП ЦНИИИ22 МО, г. Мытищи Московской обл.

11.15 – 11.30 Направления и перспективы научно-технического сотрудничества ОАО «КБ «Кунцево» и ФГУП «НПП «Пульсар» в интересах совершенствования РЭС

В.В. Бирюков, В.В. Валуев, И.П. Жиган, С.Н. Игнатьков, Р.С. Иргизов, В.Ф. Хрипченко, ОАО «КБ «Кунцево», г. Москва

11.30 – 11.45 Научные основы и технологии создания автоматизированных систем для контроля воздушного пространства

Г.П. Бендерский, ОАО «Конструкторское бюро «Лианозовские радары», г. Москва

11.45 – 12.00 Перспективы развития электронных компонентов на основе производства арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов

Г.В. Вахренев, В.С. Галушко, В.А. Дмитриев, А.М. Осипов, ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород, Россия.

12.00 – 12.15 Современное состояние и перспективы развития ИК фотоэлектроники

А.И. Дирочка, В.П. Пономаренко, А.М. Филачев, ФГУП «НПО «Орион»», г. Москва

12.15 – 12.30 Фотоэлектронные приборы в системах наблюдения - состояние и перспектива развития

В.Ф. Березанский, ЗАО « МНИТИ», г. Москва

12.30 – 12.45 Принципы формирования Госзаказа на примере направления «Силовая электроника»

Г.Б. Грихина, О.В Маклакова, М.М Крымко., Ю.А. Кузнецов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

12.45 – 13.00 Особенности, результаты и перспективы разработки ИМС при взаимодействии с зарубежными foundry-фабриками

Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва


13.00 – 14.00 перерыв, посещение музея предприятия


Дневное заседание, 14.00 – 18.00

Параллельная работа 3-х секций: № 1, № 2, № 5

Секция № 1

«СВЧ полупроводниковые приборы»


Председатель д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев

Малый конференц-зал



14.00 – 14.15 Исследование мощных СВЧ GaN полевых транзисторов в импульсном режиме

И.М. Аболдуев, А.Г. Васильев, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.15 – 14.30 Мощные полевые СВЧ транзисторы на основе многослойных гетероструктур AlGaN/GaN/AlGaN

А.Н. Алексеев, Д.М. Красовицкий, С.И. Петров, В.П. Чалый, ЗАО «Светлана-Рост», г. Санкт-Петербург

14.30 – 14.45 Резонансно-туннельные гетероструктуры: новый подход к созданию малошумящих полупроводниковых приборов

С.В. Аверин1, Н.В. Алкеев1, А.А. Дорофеев2, (1 - ФИРЭ РАН им. В.А. Котельникова, г. Фрязино Московской обл., ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

14.45 – 15.00 Исследование на ЭВМ влияния подложки на вольт-амперную характеристику резонансно-туннельного диода

В.Д. Красильников, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.00 – 15.15 Исследование на ЭВМ связи пробивного напряжения HFET на основе GaAs с геометрическими параметрами их активной области

Г.З. Гарбер, А.М. Зубков, С.А. Малеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.15 – 15.30 Низкоомный омический контакт к p-GaN

В.М. Вальд-Перлов, В.В. Вейц, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.30 – 15.45 Модуляционные возможности мощного биполярного СВЧ транзистора

В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.С. Евстигнеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.45 – 16.00 Мощный транзистор S-диапазона с теплоотводом из поликристаллического алмаза

К.Б. Левицкий, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.00 – 16.15 Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ МДП–транзисторы: достижения, проблемы, перспективы развития

В.В. Бачурин, А.К. Бельков, С.С. Бычков, Ю.В. Журавлев, С.А. Ерохин, Т.Н. Пекарчук, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.30 – 16.45 Влияние конструктивно-технологических факторов на стабильность и воспроизводимость электрофизических параметров мощных СВЧ полевых транзисторов

В.В. Асессоров, И.И. Бородкин, В.А. Кожевников, Б.К. Петров

ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж

16.45 – 17.00 Количественная оценка распределенного сопротивления высоколегированного истокового p+–слоя подложки в мощных кремниевых ВЧ и СВЧ LDMOS–транзисторах

В.В. Бачурин, А.К. Бельков, С.С. Бычков, Ю.В. Журавлев, С.А. Ерохин, Т.Н. Пекарчук, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.00 – 17.15 Использование полиимида при создании мощных широкополосных СВЧ транзисторов с двухуровневой металлизацией

М.В Гладких, С.А. Кузнецов, И.И. Моин, А.Д. Першин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.15 – 17.30 Подведение итогов работы секции

Секция № 2

«Микроэлектроника и силовая электроника»


Председатель - к.т.н. М.М. Крымко

Кабинет Главного инженера



14.00 – 14.15 Новые технологии, новые приборы и проблемы развития

В.В. Бачурин, Н.С. Жукова, М.М. Крымко, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.15 – 14.30 Результаты оптимизации комплементарного биполярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD

Р.Н. Виноградов, Д.Г. Дроздов, С.В. Корнеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.30 – 14.45 Разработка комплементарной биполярной технологии для реализации аналоговых ИМС высокого быстродействия

М.В. Хохлов1, А.А. Демин1, В.Ф. Морозов2, (1 - ОАО «Научно-исследовательский институт технологии и автоматизации производства», г. Москва, Зеленоград, 2 - ОАО «НИИМЭ и Микрон», г. Москва, Зеленоград)

14.45 – 15.00 Выбор оптимальных параметров температурного дрейфа источника опорного тока операционных усилителей с токовой обратной связью

Е.М. Савченко, С.В. Корнеев, А.С. Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.00 – 15.15 Основные направления в создании высоколинейных ИМС ВЧ и СВЧ смесителей

А.В. Вагин, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.15 – 15.30 Анализ методов построения каскадируемых широкополосных СВЧ усилителей на основе схемы Дарлингтона

Е.М. Савченко, И.А. Завьялов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.30 – 15.45 Анализ методов создания умножителей частоты ВЧ и СВЧ диапазона частот.

Е.М. Савченко, А.В. Вагин, М.В. Кондратьев, А.Д. Кузьмин ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.45 – 16.00 Проблемы разработки ИМС СВЧ логарифмических усилителей

Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.00 – 16.15 Основные направления улучшения показателей качества СВЧ ИМС фазовых детекторов

Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.15 – 16.30 Особенности построения выходных каскадов ИМС логарифмических усилителей

Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.30 – 16.45 Результаты исследования экспериментальных образцов ИМС операционных усилителей, изготовленных при взаимодействии с зарубежной foundry-фабрикой

Е.М. Савченко, Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, И.С. Анохин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.45 – 17.00 Оптимизация схемно-топологического решения ряда ИМС СВЧ делителей частоты

А.С. Будяков1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

17.00 – 17.15 Интегральные схемы управления коммутаторами СВЧ сигналов на p-i-n диодах

И.Н. Волков, П.А. Дик, В.Р. Кучерский, В.С. Машкова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.15 – 17.30 Особенности измерения параметров быстродействующих компараторов напряжения

И.Н. Волков, П.А. Дик, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.30 – 17.45 Достижения, проблемы, перспективы разработки КМОП микросхем управления фоточувствительными приборами с зарядовой связью

В.А. Володин, П.В. Володин, И.В. Харченко, И.Е. Шумков, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.45 – 18.00 Подведение итогов работы секции

Секция № 5

«САПР в разработках полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА»

Председатель - д.т.н., профессор В.Л. Аронов

Кабинет заместителя генерального директора по научной работе


14.00 - 14.15 Особенности создания библиотеки интегральных элементов для САПР Cadence

Е.М. Савченко, И.Е. Свинцов, М.В. Кондратьев, Д.Г. Дроздов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.15 - 14.30 Особенности автоматизации расчёта параметров сверх быстродействующих операционных усилителей в САПР Cadence

Е.М. Савченко, А. С. Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.30 - 14.45 Основные подходы к учёту влияния параметров корпуса полупроводниковых ИЭТ с использованием современных САПР

А.С. Будяков1, А.А. Зайцев2, Е.М, Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

14.45 - 15.00 Анализ методов экстракции параметров биполярных транзисторных структур на основе программно-аппаратного комплекса компании Agilent

Д.Г. Дроздов, И.А. Завьялов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.00 - 15.15 Особенности автоматизированного проектирования индуктивных элементов в интегральном исполнении

А.С. Будяков1, Д.Н. Конев1, Н.Н. Прокопенко1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

15.15 - 15.30 Выбор оптимального маршрута моделирования диффузионных процессов с использованием САПР TCAD

Р.Н. Виноградов, Д.Г. Дроздов, СВ. Корнеев, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.30 - 15.45 Методы проектирования печатных плат с использованием САПР Altium Designer

А.А. Пронин, А.С Романов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.45 - 16.00 Унификация и функциональная избыточность топологии кристалла, как метод сокращения сроков разработки функционально близких имс

СВ. Корнеев, Е.М. Савченко, А.С Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.00 - 16.15 Система разработки, организации и учёта сложно-функциональных блоков систем различного уровня

Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.15 - 16.30 Моделирование схем и систем с переносом частоты в САПР Cadence

А.В. Вагин, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.30 - 16.45 Использование возможностей программ инженерных и математических расчётов компании Mathworks при разработке ИЭТ

В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.С. Романов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.45 - 17.00 Анализ возможностей различных программ математического моделирования тепловых полей применительно к разработке ИЭТ

Д.С. Левин, А.А. Пронин, В.Ф. Синкевич, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.00 - 17.15 Инструменты объемного интегрирования электронной техники

В.Л. Аронов, Ю.П. Зайцев, А.А. Лапшин, Д.С. Левин, А.А. Подадаева, В.М. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

17.15 – 17.30 Подведение итогов работы секции

17.30 – 18.00 Итоги 1-го дня работы конференции

08 октября 2008 г. (среда)


УТРЕННЕЕ заседание, 10.00 – 13.00

Параллельная работа 3-х секций: № 3, № 4, № 7

Секция № 3

«Фотоэлектроника и комплексированные изделия фотоэлектроники»


Сопредседатели: к.т.н. Ю.А. Кузнецов, к.т.н. А.С. Скрылев

Кабинет заместителя генерального директора по научной работе



10.00 – 10.15 Твёрдотельный фотоэлектронный умножитель на основе матрицы гейгеровских лавинных фотодиодов.

Е.А. Георгиевская1 , С.Н. Клёмин1, Е.В. Попова2, А.А. Русанов1, Л.А. Филатов1, М.П. Шумов1 (1 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - МИФИ, г. Москва)

10.15 – 10.30 Фоточувствительные приборы с зарядовой связью, телевизионные модули и ФПУ на их основе

А.Г. Васильев, Е.В. Костюков, Ю.А. Кузнецов, А.Г. Мордовский, А.С. Скрылёв, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

10.30 – 10.45 Многоканальное фотоприемное устройство на базе матричного прибора с зарядовой связью в режиме ВЗН

В.И. Бачурин, А.А. Клинов, В.С. Жильцов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

10.45 – 11.00 Фоточувствительные приборы с зарядовой связью со сверхвысоким разрешением

Е.В. Костюков, A.M. Маклаков, Н.В. Федукова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.00 – 11.15 Гибридный фотоприёмник с режимом ВЗН на основе примесного кремния и функциональный ряд ИК модулей на его основе

Ю.И. Завадский, П.Б. Константинов, Б.М. Хотянов, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.15 – 11.30 Электронно-чувствительные матричные приборы с зарядовой связью, предназначенные для работы в составе ЭОП

И.С. Борисов, П.Б. Константинов, Ю.А. Концевой, Е.В. Костюков, A.M. Маклаков, А.С. Скрылёв, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.30 – 11.45 Матричные фотоприёмники на КМОП-структурах, обеспечивающие возможность произвольной выборки

Д.В. Бородин, Е.В. Костюков, Ю.В. Осипов, А.С. Скрылёв, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.45 – 12.00 Российские ПЗС в системах ДЗЗ высокого разрешения

А.И. Бакланов, В.И. Карасёв, Филиал ФГУП «ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс» - «ОПТЭКС», г. Москва

12.00 – 12.15 Применение многоэлементных фотоприемников с зарядовой связью как качественный скачок в разработке аппаратуры дистанционного зондирования земли

Н.П. Акимов, Ю.М. Гектин, ФГУП «РНИИКП», г. Москва

12.15 – 12.30 Подведение итогов работы секции

Секция № 4

«Сложные функциональные блоки РЭА»


Сопредседатели: к.т.н. А.С. Евстигнеев, к.т.н. Ю.В. Колковский

Малый конференц-зал



10.00 – 10.15 200-ваттный импульсный усилитель мощности Х-диапазона с активными элементами на основе широкозонных материалов

И.М. Аболдуев1, А.Г. Васильев1, А.А. Глыбин1, А.М. Зайцев1, А.М. Зубков1, Ю.В. Колковский1, Д.С. Левин1, В.М. Миннебаев1, Ю.В. Пырсиков2,

(1 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва)

10.15 – 10.30 Расширение функциональных возможностей приемо-передающих модулей АФАР L-диапазона

В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.А. Подадаева, С.А. Поляков, Ю.С. Сендерук, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

10.30 – 10.45 Разработка МИС с использованием SiGe БиКМОП Л.П. Ионов 1, Ю.В. Колковский 2, И.В. Малышев 1, В.М. Миннебаев 2, И.И. Мухин 1, В.В. Репин 1, А.А. Суслов 1 ( 1 – ФГУП «НИИМА «Прогресс», Москва, 2 ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

10.45 – 11.00 Четырехканальный приемник Х-диапазона для систем радиолокации

Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, А.В. Перевезенцев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.00 – 11.15 Широкополосные малошумящие усилители мощности диапазона частот 1-9 ГГц

А.М. Осипов, С.В. Платонов, ЗАО «НПП «Планета – Аргал», г. Великий Новгород, Россия

11.15 – 11.30 Твердотельные формирователи сигналов для сверхширокополосных радиоэлектронных систем

Ю.В. Колковский, А.В. Перевезенцев, Р.А.Плетнев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.30 – 11.45 10-ваттный импульсный усилитель мощности С-диапазона со встроенным дискретным аттенюатором

И.М. Аболдуев, Б.М. Китаин, А.В. Тихомиров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

11.45 – 12.00 СВЧ ГИС десятиваттного семиступенчатого аттенюатора для выходного каскада усилителя мощности S-диапазона

И.М. Аболдуев, В.М. Вальд-Перлов, Г.З. Гарбер, А.М. Зубков,В.Д. Красильников, В.М. Миннебаев, С.А. Малеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва


12.00 – 12.15 Малогабаритные модули усилителей мощности для средств связи

В.В. Асессоров, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, И.В. Семейкин, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж

12.15 – 12.30 Мощные усилительные паллеты для модулей АФАР

В.В. Асессоров, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, И.В. Семейкин, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж

12.30 - 12.45 Анализ основных направлений построения интегральных СВЧ усилителей мощности L- и S- диапазонов частот с выходной мощностью до 2,5 Вт на основе кремниевых транзисторов

А.С. Будяков1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)

12.45 – 13.00 СВЧ арсенидгаллиевый пятиразрядный аттенюатор

А.М. Осипов 1, В.В. Радченко Л.М. 2, Семенова 1, ( 1 - ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород, 2 - ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга», г. Москва

Перерыв 13.00 - 14.00

14.00 – 14.15 Многокристальные модули на кремниевых подложках – основа создания перспективной элементной базы РЭА

В.А. Бражник, М.В. Хохлов, ОАО «Научно-исследовательский институт технологии и автоматизации производства», г. Москва, Зеленоград

14.15 – 14.30 Малошумящий усилитель Х-диапазона с устройством защиты от несинхронных помех высокого уровня

С.А. Королев, В.М. Миннебаев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.30 – 14.45 Усилитель, ограничитель и транзистор на GaAs
в корпусах для поверхностного монтажа

А.П. Штейнгарт, ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород

14.45 – 15.00 Мощные СВЧ нагрузки на основе AlN

М.В. Гладких, И.И. Моин, А.Д. Першин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.00 - 15.15 Твердотельный двухдиапазонный формирователь опорных сигналов для вторичных РЛС УВД

Д.А. Базаров, Е.Г. Вишневский, Е.И. Пряников, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.15 - 15.30 Использование перестройки несущей частоты сигнала при сопровождении целей над отражающей поверхностью для устранения срывов сопровождения

Е.А. Покровская, ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва

15.30 - 15.45 Построение многофункционального радиолокатора для корабля малого водоизмещения

В.В. Виноградов, ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва

15.45 – 16.00 Подведение итогов работы секции

Секция № 7


Технология, оборудование для разработки и производства полупроводниковых приборов и микроэлектронных систем»

Председатель - В.А. Курмачев

Кабинет Главного инженера



10.00 – 10.15 Вакуумное оборудование технологических линий твердо-тельной ЭКБ

А.Г. Филаретов, А.Н. Алексеев, Ю.В. Погорельский, С.Б. Александров, ЗАО «Научное и технологическое оборудование», г. Санкт-Петербург

10.115 – 10.30 Основные технологии развития методов микролитографии в производстве полупроводниковых приборов и устройств (по материалам отечественных и зарубежных публикаций)

И.Н. Рубцов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

10.30 – 10.45 Методология управления топологической точностью микро-литографии

Ю.Б. Цветков, МГТУ им. Н.Э. Баумана г. Москва

10.45 – 11.00 Анализ возможностей современных методов микро-литографии

А.А. Мельников, А.И. Сидоров, Ю.Б. Цветков, Якушев М.В. МГТУ им. Н.Э. Баумана г. Москва

11.00 – 11.15 Особенности кластерного подхода при создании современного полупроводникового производства

А.Р. Хохлун, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва

11.15 – 11.30 Технология и оборудование для контроля структурной целостности полупроводниковых приборов как средства обеспечения качества и надежности изделий электронной техники

А.Ю. Насонов, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва

11.30 – 11.45 Современные тенденции корпусирования полупроводнико-вых приборов

А.А. Чабанов, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва

11.45 – 12.00 Способы герметизации полупроводниковых приборов

В.Б. Есипова, СВ. Катаев, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

12.00 – 12.15 Оптимизация конструкции кристаллодержателей из материалов с высокой теплопроводностью, альтернативных ВеО керамике, в корпусах мощных СВЧ транзисторов

В.А. Сидоров, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

12.15 – 12.30 Возможности использования низкотемпературной керамики в СВЧ транзисторах и полупроводниковых многокристальных микромодулях

В.Г. Шилин, ОАО «НПП «Томилинский электронный завод», г. Томилино Московской обл.

12.30 – 12.45 Технология изготовления специальной фольги и её использование для межсоединений в СВЧ микросборках

Е.М. Апостолова, А.А. Зайцев, В.А. Сидоров, Л.В. Чумакова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

12.45 – 13.00 Термические процессы в производстве корпусов полупроводниковых приборов

В.А. Жамалетдинов, Б.И. Лапутин, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

13.00 – 13.15 Подведение итогов работы секции

Перерыв 13.15 - 14.00


Дневное заседание, 14.00 – 17.00

Параллельная работа 2-х секций: № 6, № 8



Секция № 6

«Вопросы качества и надежности в научных разработках и производстве полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА»


Председатель - д.т.н., профессор В.Ф. Синкевич

Кабинет заместителя генерального директора по научной работе



14.00 – 14.15 Механизм внезапных отказов мощных СВЧ транзисторов при работе в импульсных периодических режимах

М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.15 – 14.30 Надёжность мощных СВЧ транзисторов с кристалло-держателями из высокотеплопроводных альтернативных ВеО керамике материалов

М.Н. Гришаков, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.30 – 14.45 Анализ зависимости скорости развития отказов, вызванных усталостными явлениями в металлизации СВЧ транзисторов, от параметров термоциклов

М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.45 – 15.00 Расчет параметров термоциклов в импульсных периодичес-ких режимах работы СВЧ транзисторов

М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.00 – 15.15 Экспресс-метод измерения теплового сопротивления с помощью ИК пирометров

Н.Л. Евдокимова, С.В. Иванов, В.Ф. Минин, Б.Л. Перельман, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.15 – 15.30 Современный программно-аппаратный комплекс для контроля теплофизических и электрических параметров ППП и их ОБР

В.В. Долгов, В.С. Ежов, А.Ю. Моторин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.30 – 15.45 Использование радионуклидных источников альфа-излучения в полупроводниковой технологии и при имитационных испытаниях изделий полупроводниковой электроники на стойкость к воздействию специальных факторов

Э.Т. Аврасин, Э.Н. Вологдин, И.Я. Гантман, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.45 – 16.00 Общий подход к оценке импульсной электрической прочности изделий полупроводниковой электроники

Э.Т. Аврасин, Э.Н. Вологдин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

16.00 – 16.15 Подведение итогов работы секции

Секция № 8

«Полупроводниковые материалы и методы их исследования»


Сопредседатели: д.т.н., профессор Ю.А. Концевой,

д.т.н. К.Л. Енишерлова

Кабинет Главного инженера



14.00 – 14.15 Гетероэпитаксиальные структуры AlGaN/GaN на подложках карбида кремния для СВЧ полевых транзисторов

А.А. Арендаренко, И.Г. Ермошин, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков, ЗАО «Элма-Малахит» - ДО ОАО «Концерн «Энергомера», г. Москва, Зеленоград

14.15 – 14.30 Особенности микроструктуры и электронных свойств гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методами MOCVD и MBE

Н.Б. Гладышева, В.Г. Горячев, И.Б. Гуляев, К.Л. Енишерлова, Э.М. Темпер, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.30 – 14.45 Особенности аппаратно-программных решений при конструировании аппаратуры измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Б.Л. Гуськов, Ю.А. Концевой, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

14.45 – 15.00 Электрические и оптические свойства нанопленок из линейно-цепочечного углерода

М.Б. Гусева1, Ю.И. Завадский2, П.Б. Константинов2, Ю.А. Концевой2, Н.Д. Новиков3, В.В. Хвостов1, В.В. Чернокожин2, (1 -МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 3 - Чебоксарский госуниверситет, г. Чебоксары)

15.00 – 15.15 Роль первого высокотемпературного отжига в формировании внутреннего геттера

Е.В. Костюков, М.А. Поспелова, Т.Ф. Русак, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва

15.15 – 15.30 Влияние состава нанокомпозитов на основе SnO2 на их структуру и газочувствительные свойства

Б.Л. Агапов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, Д.В. Русских, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж

15.30 – 15.45 Электрические и фотоэлектрические свойства нанокомпозитов на основе SnO2

В.А. Буслов, Д.Ю. Куликов, С.И. Рембеза, Д.В. Русских, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж

15.45 – 16.00 Подведение итогов работы секции


16.30 – 17.00 – подведение творческих итогов работы и закрытие конференции

Малый конференц-зал


Товарищеский кофе-коньяк – для председателей, членов комитетов, участников (ветеранов и молодых специалистов)

Добавить в свой блог или на сайт

Похожие:

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма 5-7 октября 2011 года г. Белая Церковь, Украина 2 программа конференции «биология растений и биотехнология» вторник, 4 октября 2011
Нии физико-химической биологии имени А. Н. Белозерского Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова 1150-1210...

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма вторник, 19 октября 2010 года вц ран, конференц-зал 8: 45 Регистрация участников конференции 9: 45
Ю. Г. Евтушенко, М. А. Посыпкин, И. Х. Сигал. Методы и программное обеспечение для решения задач исследования операций на многопроцессорных...

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма международной научной конференции «историческая память в культуре возрождения» 27 29 октября 2008 г. 27 октября
От хозяйственной книги к хронике: источники и мотивация историописания у флорентийских граждан Х1у-ху вв

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма международной научно-методической конференции университет в системе непрерывного образования пермь, 14-15 октября 2008 г
Программа Международной научно-методической конференции «Университет в системе непрерывного образования». (Пермь, 14-15 октября 2008...

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма 31 октября, вторник
Приветствие Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconИнформационный бюллетень 8 октября 2008 года
Стенограмма выступления и ответов на вопросы сми министра иностранных дел России С. В. Лаврова на совместной пресс-конференции по...

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма конференции на вторник 17 мая
Садов С. Ю., Кондратьева М. Ф., Оценка меры иррациональности числа по Салихову с явными константами

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconМатериалы Пятой Международной научно-практической конференции 16 18 октября 2008 г. Казань Казанский государственный университет 2008
Информационное поле современной России: практики и эффекты: Материалы Пятой Международной научно-практической конференции

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconМатериалы международной научно-практической конференции 30 сентября 2 октября 2008 г. Николаев, 2008
Рекомендовано к печати научным советом Научно-педагогической библиотеки (протокол №1 от 26 января 2009 г.)

Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) iconПрограмма работы конференции
Открытие конференции состоится 16 октября 2007 г в 16. 00 в актовом зале митхт им. М. В. Ломоносова


Разместите кнопку на своём сайте:
lib.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©lib.convdocs.org 2012
обратиться к администрации
lib.convdocs.org
Главная страница